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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.62 | 最大集电极电流 (IC)： | 7.8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 211 ns | 标称接通时间 (ton)： | 35 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RGR3B60KD2TRLPBF | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3 |
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| RGR3B60KD2TRPBF | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3 |
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| RGR3B60KD2TRR | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3 |
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| RGR3B60KD2TRRPBF | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3 |
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| RGR5HXB37C15 | VECTRON |
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Temperature Compensated Crystal Oscillators |
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| RGR5HYA17C10 | VECTRON |
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Temperature Compensated Crystal Oscillators |
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| RGR7HXB37C15 | VECTRON |
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Temperature Compensated Crystal Oscillators |
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| RGR7HYA17C10 | VECTRON |
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Temperature Compensated Crystal Oscillators |
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| RGS00TS65DHR | ROHM |
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RGS00TS65DHR是一款具有低导通损耗特性的车载IGBT。 适用于注重导通损耗的电动 |
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| RGS00TS65EHR | ROHM |
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RGS00TS65EHR是一款具有低导通损耗特性的车载IGBT。 适用于注重导通损耗的电动 |
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