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RGR3B60KD2PBF

更新时间： 2024-01-28 00:55:26

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		电动机控制栅晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	309K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3

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RGR3B60KD2PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.62	最大集电极电流 (IC)：	7.8 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	211 ns	标称接通时间 (ton)：	35 ns
Base Number Matches：	1

RGR3B60KD2PBF 数据手册

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IRGR3B60KD2PbF

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= 3.0A

= 6.0A

I

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= 1.5A

= 3.0A

= 6.0A

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V

(V)

GE

GE

Fig. 10 - Typical V_CEvs. V_GE

Fig. 9 - Typical V_CEvs. V_GE

T_J= 25°C

T_J= -40°C

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T

= 25°C

J

I

I

I

= 1.5A

= 3.0A

= 6.0A

CE

CE

CE

T

= 150°C

J

6

4

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0

0

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V

, Gate-to-Source Voltage (V)

V

(V)

GS

GE

Fig. 12 - Typ. Transfer Characteristics

Fig. 11 - Typical V_CEvs. V_GE

V_CE= 50V; tp = 10µs

T_J= 150°C

www.irf.com

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与RGR3B60KD2PBF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
RGR3B60KD2TRLPBF	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3	获取价格
RGR3B60KD2TRPBF	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3	获取价格
RGR3B60KD2TRR	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3	获取价格
RGR3B60KD2TRRPBF	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3	获取价格
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