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RGP25B-E3/51

更新时间： 2024-11-16 19:12:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效二极管
页数 文件大小 规格书
4页 86K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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RGP25B-E3/51 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-201AD包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.61其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最大输出电流：2.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.15 µs
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

RGP25B-E3/51 数据手册

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RGP25A thru RGP25M  
Vishay General Semiconductor  
Glass Passivated Junction Fast Switching Rectifier  
FEATURES  
• Superectifier structure for High Reliability  
condition  
• Cavity-free glass-passivated junction  
• Fast switching for high efficiency  
• Low leakage current, typical I less than 0.2 µA  
R
• High forward surge capability  
• Meets environmental standard MIL-S-19500  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
DO-201AD  
* Glass-plastic encapsulation  
technique is covered by  
Patent No. 3,996,602, and  
brazed-lead assembly by  
Patent No. 3,930,306  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
For general purpose of medium frequency rectification.  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
trr  
2.5 A  
50 V to 1000 V  
100 A  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-201AD, molded epoxy over glass body  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
150 ns, 250 ns, 500 ns  
5.0 µA  
IR  
VF  
1.3 V  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
Tj max.  
175 °C  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
RGP25A RGP25B RGP25D RGP25G RGP25J RGP25K RGP25M  
UNIT  
Maximum repetitive peak  
reverse voltage  
VRRM  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
V
Maximum RMS voltage  
VRMS  
VDC  
35  
50  
70  
140  
200  
280  
400  
420  
600  
560  
800  
700  
V
V
Maximum DC blocking voltage  
100  
1000  
Maximum average forward  
rectified current 0.375" (9.5 mm)  
lead length at TA = 55 °C  
IF(AV)  
2.5  
A
A
Peak forward surge current 8.3  
ms single half sine-wave  
IFSM  
100  
superimposed on rated load  
Maximum full load reverse  
current, full cycle average  
0.375" (9.5 mm) lead length  
at TA = 55 °C  
IR(AV)  
100  
µA  
°C  
Operating junction and storage  
temperature range  
TJ, TSTG  
- 65 to + 175  
Document Number 88703  
04-May-06  
www.vishay.com  
1
1234

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与RGP25B-E3/51相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RGP25B-E3/54 VISHAY

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 		DIODE 2.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2,
RGP25B-HE3 VISHAY

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 		DIODE 2.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2, Rect
RGP25B-HE3/73 VISHAY

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 		2.5A plug-in fast recovery diode 200V DO-201 series
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RGP25D GULFSEMI

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 		SINTERED GLASS JUNCTION FAST SWITCHING PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE:50 TO 1000V CURRENT: 3.0A
RGP25D/23 VISHAY

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