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RGP10M.TR PDF预览

RGP10M.TR

更新时间： 2024-01-03 17:17:50
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 46K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41

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RGP10M.TR 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.32其他特性：METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-PALF-W2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大功率耗散：3 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向恢复时间：0.5 µs
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

RGP10M.TR 数据手册

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RGP10A - RGP10M  
Features  
• 1.0 ampere operation at TA = 55°C  
with no thermal runaway.  
• High temperature metallurgically  
bonded construction.  
• Glass passivated cavity-free junction.  
• Typical IR less than 1µA.  
DO-41  
COLOR BAND DENOTES CATHODE  
• Fast switching for high efficiency.  
Fast Rectifiers (Glass Passivated)  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
10A 10B 10D 10G 10J  
10K  
10M  
VRRM  
IF(AV)  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current,  
50  
100 200 400 600  
800 1000  
V
A
1.0  
.375 " lead length @ T = 55 C  
°
L
IFSM  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3 ms Single Half-Sine-Wave  
30  
A
Storage Temperature Range  
-65 to +175  
-65 to +175  
°C  
°C  
Tstg  
TJ  
Operating Junction Temperature  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
PD  
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
3.0  
W
50  
RθJA  
°C/W  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Device  
Units  
10A 10B 10D 10G 10J  
10K  
10M  
VF  
trr  
Forward Voltage @ 1.0 A  
1.3  
V
Reverse Recovery Time  
150  
250  
500  
ns  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A  
IR  
5.0  
200  
µA  
µA  
Reverse Current @ rated VR TA = 25°C  
TA = 150°C  
CT  
Total Capacitance  
15  
pF  
VR = 4.0 V, f = 1.0 MHz  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
RPG10A - RPG10M, Rev. C  
123

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与RGP10M.TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RGP10M/73 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
RGP10MA ZOWIE

获取价格

 		SINTERED GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST RECOVERY RECTIFIER
RGP10MA TAITRON

获取价格

 		1.0A Sintered Glass Passivated Fast Recovery Rectifier
RGP10M-A MCC

获取价格

 		Rectifier Diode,
RGP10MAH ZOWIE

获取价格

 		SINTERED GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST RECOVERY RECTIFIER
RGP10M-AP MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2
RGP10M-B MCC

获取价格

 		Rectifier Diode
RGP10M-E GULFSEMI

获取价格

 		SINTERED GLASS JUNCTION FAST SWITCHING PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE: 1000V CURRENT: 1.0A
RGP10ME/23 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
RGP10M-E3 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL, LEAD FREE, PLASTIC, DO-41

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