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RFUH20NS4SFH

更新时间: 2024-02-28 16:22:26
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罗姆 - ROHM 超快速恢复二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 758K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 430V V(RRM), Silicon, TO-263AB, LPDS, TO-263S, 3/2 PIN

RFUH20NS4SFH 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:LPDS, TO-263S, 3/2 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.36应用:SUPER FAST RECOVERY
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.7 V
JEDEC-95代码:TO-263ABJESD-30 代码:R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流:100 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:20 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
参考标准:AEC-Q101最大重复峰值反向电压:430 V
最大反向电流:10 µA最大反向恢复时间:0.025 µs
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

RFUH20NS4SFH 数据手册

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Data Sheet  
RFUH20NS4SFH  
300  
280  
260  
240  
220  
200  
180  
160  
30  
25  
20  
15  
10  
5
IF=0.5A  
IR=1.0A  
Irr=0.25×IR  
Tj=25°C  
AVE:219A  
AVE:18.1ns  
IFSM  
8.3ms  
1cyc.  
0
IFSM DISPERSION MAP  
trr DISPERSION MAP  
1000  
100  
10  
1000  
100  
IFSM  
time  
10  
IFSM  
8.3ms  
8.3ms  
1cyc.  
1
1
10  
100  
TIME:t(ms)  
IFSM-t CHARACTERISTICS  
NUMBER OF CYCLES  
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS  
100  
10  
1
5
4
3
2
1
0
AVE:2.96kV  
Rth(j-a)  
Rth(j-c)  
AVE:0.62kV  
0.1  
0.001  
C=200pF  
C=100pF  
R=1.5kΩ  
0.1  
10  
1000  
R=0Ω  
TIME:t(s)  
Rth-t CHARACTERISTICS  
ESD DISPERSION MAP  
www.rohm.com  
© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
3/4  
2012.06 - Rev.A  

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