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RFUH20TJ6S

更新时间： 2023-09-03 20:25:16

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罗姆 - ROHM		快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
8页	380K
描述
RFUH20TJ6S是高速trr且超低反向恢复损耗的一般整流用快速恢复二极管。

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RFUH20TJ6S 数据手册

Super Fast Recovery Diode

RFUH20TJ6S

Data Sheet

lSerise

lDimensions (Unit : mm)

lStructure

4.5±0.1

2.6±0.1

f3.1±0.1

Standard Fast Recovery

10.2±0.2

lApplication

General rectification

Cathode

Anode

RFUH20

TJ6S

lFeatures

2.6±0.1

Super fast recovery / Soft recovery type

1.4±0.2

2) Ultra low switching loss

3) High current overload capacity

0.6±0.1

2.54±0.1

5.08±0.1

ROHM : TO220ACFP

0.83±0.1

lConstruction

Silicon epitaxial planar type

: Manufacture year, week,day, package code

: Serial number

lAbsolute Maximum Ratings (T_c= 25°C)

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Symbol

Conditions

Limits

Unit

V_RM

V_R

I_o

Duty≦0.5

Direct reverse voltage

60Hz half sin wave , resistive load

600

T_c=30°C

Average current

60Hz half sin wave, one cycle, non-repetitive at T_j=25°C

Non-repetitive forward surge current I_FSM

120

150

T_j

Operating junction temperature

Storage temperature

°C

T_stg

-55 to +150 °C

lElectrical Characteristics (T_j= 25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

V_F

Min. Typ. Max. Unit

T_j=25°C

T_j=125°C

T_j=25°C

T_j=125°C

1.4

1.9

1.5

0.1

5.7

340

220

4.1

2.8

I_F=20A

Forward voltage

200

I_R

V_R=600V

Reverse current

I_F=0.5A, I_R=1A, Irr=0.25×I_R

Reverse recovery time

trr

I_F=20A, V_R=400V, dI_F/dt=-200A/ms

I_F=20A, V_R=400V

T_j=125°C

I_Rp

Qrr

Reverse recovery current

Reverse recovery charges

Forward recovery time

dI_F/dt=-200A/ms

I_F=20A, dI_F/dt=200A/ms,

V_FR=1.1xV_Fmax

tfr

V_Fp

Forward recovery voltage

R_th(j-a)

R_th(j-c)

Junction to ambient

Junction to case

7.5 °C/W

2.5 °C/W

Thermal resistance

www.rohm.com

2015.05 - Rev.A

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