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RFUH10NS4SFHTL

更新时间： 2024-01-21 07:51:37

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罗姆 - ROHM		二极管
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7页	923K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 10A, 430V V(RRM),

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RFUH10NS4SFHTL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	1.73	配置：	SINGLE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.7 V
最大非重复峰值正向电流：	80 A	元件数量：	1
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	10 A
最大重复峰值反向电压：	430 V	最大反向恢复时间：	0.025 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

RFUH10NS4SFHTL 数据手册

Data Sheet

AEC-Q101 Qualified

Super Fast Recovery Diode

RFUH10NS4SFH

ꢀSerise

ꢀDimensions(Unit : mm)

ꢀLand Size Figure(Unit : mm)

Super Fast Recovery

ꢀApplications

RFUH10

NS4S

General rectification

䐟㻌

ꢀFeatures

LPDS

1)Ultra low switching loss

2)High current overload capacity

ꢀ

Structure

ROHM : LPDS

JEITA : TO263S

ձꢀ

ꢀConstruction

Manufacture Date

Silicon epitaxial planer type

ꢀTaping Dimensions(Unit : mm)

ꢀAbsolute Maximum Ratings(Tc=25°C)

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Conditions

Duty䍸0.5

Limits

Symbol

V_RM

Unit

430

V_R

Direct voltage

$YHUDJHꢀUHFWLILHGꢀIRZDUGꢀFXUUHQW

Forward current surge peak

Junction temperature

60Hz half sin wave , Resistive load

Tc=70°C

I_FSM

60Hz half sin wave , Non-repetitive at Tj=25°C

150

°C

Storage temperature

ꢀ55 to ꢁ150

Tstg

(*1) 1-3pin common circuit

ꢀElectrical Characteristics(Tj=25°C)

Parameter

Conditions

I_F=10A

Min.

䠉

Typ.

1.4

0.05

Max.

1.7

Symbol

V_F

Unit

Forward voltage

V_R=430V

I_R

䠉

Reverse current

μA

I_F=0.5A,I_R=1A,Irr=0.25×I_R

Junction to case

䠉

Reverse recovery Time

Thermal resistance

trr

䠉

4.0

Rth(j-c)

°C/W

WWWꢀROHMꢀCOM

Ú ꢁꢂꢃꢁ 2/(- #Oꢀꢄ ,TDꢀ !LL RIGHTS RESERVEDꢀ

2012.06 - Rev.A

1/4

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