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RFUH10NS6S

更新时间: 2023-09-03 20:37:57
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罗姆 - ROHM 快速恢复二极管开关
页数 文件大小 规格书
7页 471K
描述
罗姆的快速恢复二极管具有超高速且低VF、有利于大幅提高开关电源効率,降低功率损失。

RFUH10NS6S 数据手册

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Data Sheet  
Super Fast Recovery Diode  
RFUH10NS6S  
Serise  
Dimensions(Unit : mm)  
Land Size Figure(Unit : mm)  
Super Fast Recovery  
Applications  
RFUH10  
NS6S  
General rectification  
ձꢀ  
Features  
LPDS  
1)Ultra low switching loss  
2)High current overload capacity  
Structure  
ROHM : LPDS  
JEITA : TO263S  
ձꢀ  
Construction  
Manufacture Date  
Silicon epitaxial planer type  
Taping Dimensions(Unit : mm)  
Absolute Maximum Ratings(Tc=25°C)  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
Conditions  
Duty0.5  
Limits  
Symbol  
VRM  
Unit  
V
600  
600  
VR  
Direct voltage  
V
Average rectified foward current  
Forward current surge peak  
Junction temperature  
60Hz half sin wave , Resistive load  
60Hz half sin wave , Non-repetitive at Tj=25°C (*1)  
Tc=64°C  
10  
Io  
IFSM  
Tj  
A
60  
A
150  
°C  
°C  
Storage temperature  
55 to 150  
Tstg  
(*1) 1-3pin common circuit  
Electrical Characteristics(Tj=25°C)  
Parameter  
Conditions  
IF=10A  
Min.  
Typ.  
1.8  
0.05  
15  
Max.  
2.8  
10  
Symbol  
VF  
Unit  
V
Forward voltage  
VR=600V  
IR  
Reverse current  
μA  
IF=0.5A,IR=1A,Irr=0.25×IR  
Junction to case  
25  
Reverse recovery time  
Thermal resistance  
trr  
ns  
3.0  
Rth(j-c)  
°C/W  
WWWꢀROHMꢀCOM  
Ú ꢁꢂꢃꢁ 2/(- #Oꢀꢄ ,TDꢀ !LL RIGHTS RESERVEDꢀ  
1/4  
2012.06 - Rev.A  

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