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RDN120N25FU6

更新时间： 2024-11-07 19:16:27

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罗姆 - ROHM		/
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5页	86K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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RDN120N25FU6 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

RDN120N25FU6 数据手册

RDN120N25

Transistors

10V Drive Nch MOS FET

RDN120N25

zExternal dimensions (Unit : mm)

zStructure

Silicon N-channel

MOS FET

TO-220FN

4.5

2.8

10.0

3.2

zFeatures

1) Low on-resistance.

1.2

1.3

2) Low input capacitance.

3) Exellent resistance to damage from static electricity.

0.8

2.54

(1)Gate

2.54

0.75

2.6

(2)Drain

(3)Source

( ) ( ) ( )

1 2 3

zApplication

Switching

zPackaging specifications

zEquivalent circuit

Package

Bulk

−

Drain

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

500

RDN120N25

∗2

Gate

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

∗1

∗1 ESD Protection diode

∗2 Body Diode

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Limits

Unit

250

Source

∗A protection diode is included between the gate and

the source terminals to protect the diode against static

electricity when the product is in use. Use the protection

circuit when the fixed voltages are exceeded.

Continuous

Pulsed

Drain Current

∗1

I_DP

Continuous

Pulsed

I_DR

Reverse Drain

Current

I_DRP

I_S

Continuous

Pulsed

Source Current

(Body diode)

∗1

∗2

I_SP

Avalanche Current

Avalanche Energy

I_AS

216

E_AS

P_D

°C

Total Power Dissipation (T_C=25°C)

Channel Temperature

T_ch

150

T_stg

Storage Temperature

−55 to +150

∗1 Pw ≤ 10µs, Duty cycle ≤ 1%

∗2 L 2.4mH, V^DD=50V, R =25Ω, 1Pulse, Tch=25°C

zThermal resistance

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Channel to case

Channel to ambient

Rth(ch-c)

Rth(ch-a)

3.13

62.5

°C/W

Rev.A

1/4

12 3 4 5

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