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RDN150N20

更新时间： 2024-11-09 09:36:19
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罗姆 - ROHM 开关
页数 文件大小 规格书
4页 92K
描述
Switching (200V, 15A)

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RDN150N20 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.82雪崩能效等级（Eas）：210 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.16 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

RDN150N20 数据手册

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RDN150N20  
Transistors  
Switching (200V, 15A)  
RDN150N20  
!External dimensions (Unit : mm)  
!Features  
1) Low on-resistance.  
TO-220FN  
+0.3  
+0.3  
4.5  
10.0  
2) Low input capacitance.  
3) Exellent resistance to damage from static electricity.  
−0.1  
−0.1  
+0.2  
2.8  
−0.1  
3.2 0.2  
!Application  
Switching  
1.2  
1.3  
0.8  
+0.1  
(1) Gate  
0.75  
2.54 0.5  
2.54 0.5  
2.6 0.5  
−0.05  
!Structure  
Silicon N-channel  
MOS FET  
( ) ( ) ( )  
1 2 3  
(2) Drain  
(3) Source  
!Equivalent circuit  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Limits  
Unit  
V
Drain  
200  
30  
V
Continuous  
Pulsed  
15  
A
Drain Current  
∗1  
IDP  
45  
A
Continuous  
Pulsed  
IDR  
15  
A
Reverse Drain  
Current  
Gate  
∗1  
∗2  
∗2  
A
IDRP  
IAS  
45  
15  
Avalanche Current  
Avalanche Energy  
A
210  
EAS  
PD  
mJ  
W
°C  
°C  
∗Gate  
Protection  
Diode  
Total Power Dissipation (TC=25°C)  
40  
Channel Temperature  
Tch  
150  
Source  
Tstg  
Storage Temperature  
∗1 Pw ≤ 10µs, Duty cycle ≤ 1%  
−55 to +150  
∗A protection diode is included between the gate and  
the source terminals to protect the diode against static  
electricity when the product is in use. Use the protection  
circuit when the fixed voltages are exceeded.  
∗2 L 4.5mH, VDD=50V, R =25Ω, 1Pulse, Tch=25°C  
G
1/3  
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