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RD8.2SLN

更新时间： 2024-11-14 19:51:47
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 55K
描述
Zener Diode, 8.2V V(Z), 5.64%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

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RD8.2SLN 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：R-PDSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.33其他特性：LOW NOISE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.2 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：8.2 V表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压容差：5.64%
工作测试电流：0.5 mABase Number Matches：1

RD8.2SLN 数据手册

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DATA SHEET  
ZENER DIODES  
RD4.7SL to RD39SL  
ZENER DIODES  
200 mW 2 PIN SUPER MINI MOLD  
DESCRIPTION  
PACKAGE DIMENSIONS  
Type RD4.7SL to RD39SL Series are 2 PIN Super Mini  
Mold Package zener diodes possessing an allowable power  
dissipation of 200 mW featuring low noise and sharp break-  
down characteristic. They are intended for use in audio  
equipment, instrument equipment.  
(in millimeters)  
2.5±0.15  
1.7±0.1  
FEATURES  
•
•
•
Low Noise  
Sharp Breakdown characteristic.  
Vz: Applied E24 standard.  
Cathode  
Indication  
APPLICATIONS  
Circuits for Constant Voltage, Constant Current, Waveform  
Clipper, Surge absorber, etc.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)  
Power Dissipation  
P
200 mW  
100 mA  
Forward Current  
IF  
Reverse Surge Power  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PRSM  
Tj  
2.2W (at t=10 µs/1 pulse) Show fig. 8  
150 °C  
Tstg  
–55 to +150 °C  
Document No. D11445EJ2V0DS00 (2nd edition)  
Date Published December 1998 N CP(K)  
Printed in Japan  
1996  
©
12345678

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