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RD5.1EB3

更新时间： 2024-11-14 03:37:31

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日电电子 - NEC		稳压二极管
页数	文件大小	规格书
12页	96K
描述
500 mW DHD ZENER DIODE DO-35

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RD5.1EB3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DO-35	包装说明：	O-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.65	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	5.24 V
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	2.2%	工作测试电流：	20 mA

RD5.1EB3 数据手册

DATA SHEET

ZENER DIODES

RD2.0E to RD200E

500 mW DHD ZENER DIODE

(DO-35)

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

NEC Type RD2.0E to RD200E Series are planar type zener diode in the

popular DO-35 package with DHD (Double Heatsink Diode) construction

having allowable power dissipation of 500 mW. To meet various application

at customers, V^z(zener voltage) is classified into the tight tolerance under

the specific suffix (B, B1 to B7).

(in millimeters)

0.5

FEATURES

Cathode

indication

•

DHD (Double Heatsink Diode) Construction

Vz: Applied E24 standard (RD130E to RD200E: 10 volts step)

DO-35 Glass sealed package

2.0 MAX.

ORDER INFORMATION

RD2.0 E to RD39E with suffix “B1”, “B2”, “B3”, “B4”, “B5”, “B6” or “B7”

should be applied for orders for suffix “B”.

APPLICATIONS

Circuits for Constant Voltage, Constant Current, Waveform Clipper, Surge absorber, etc.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Forward Current

200 mA

500 mW

Power Dissipation

Surge Reverse Power

Junction Temperature

Storage Temperature

PRSM

T^j

100 W (t = 10 µs)

175 ˚C

to see Fig. 17

Tstg

–65 to +175 ˚C

Document No. D10213EJ5V0DS00 (5th edition)

Date Published December 1998 N CP(K)

Printed in Japan

1981

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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