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RD5.1FB

更新时间: 2024-01-08 13:02:34
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EIC 二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
4页 49K
描述
Zener Diodes

RD5.1FB 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:R-PDSO-G2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.48
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.15 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:10 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5.8%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

RD5.1FB 数据手册

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SILICON ZENER DIODES  
DO - 35  
RD2.0E ~ RD39E  
VZ : 2.0 - 39 Volts  
PD : 500 mW  
1.00 (25.4)  
0.079(2.0 )max.  
min.  
FEATURES :  
0.150 (3.8)  
max.  
* Complete 2.0 to 39 Volts  
* High peak reverse power dissipation  
* High reliability  
1.00 (25.4)  
min.  
0.020 (0.52)max.  
* Low leakage current  
* Pb / RoHS Free  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-35 Glass Case  
Weight: approx. 0.13g  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
MAXIMUM RATINGS  
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
PD  
Power Dissipation  
500  
mW  
IF  
Tj  
Forward Current  
200  
mA  
°C  
Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
- 55 to + 175  
- 55 to + 175  
Ts  
°C  
Derating Curve  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0
25  
50  
75  
100 125 150 175 200  
Ambient Temperture , Ta (°C)  
Page 1 of 4  
Rev. 02 : March 25, 2005  

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