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RD5.1ESAB2

更新时间： 2024-11-14 21:07:07

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EIC		测试二极管
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4页	61K
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Zener Diode,

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RD5.1ESAB2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.78
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	70 Ω
JEDEC-95代码：	DO-34	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
膝阻抗最大值：	1200 Ω	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.4 W
参考标准：	TS 16949	标称参考电压：	5.08 V
最大反向电流：	5 µA	反向测试电压：	1.5 V
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	2.07%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

RD5.1ESAB2 数据手册

TH97/10561QM

TW00/17276EM

IATF 0060636

SGS TH07/1033

ZENER DIODES

RD2.0ES SERIES

DO - 34 Glass

VZ : 2.0 - 37.5Volts

P_D: 400 mW

1.00 (25.4)

0.078 (2.0 )max.

min.

FEATURES :

* High reliability

0.118 (3.0)

max.

Cathode

Mark

* Low leakage current

* Suitable for 5mm - pitch high speed automatical

insertion

1.00 (25.4)

min.

0.017 (0.43)max.

* Pb / RoHS Free

MECHANICAL DATA

Case: DO-34 Glass Case

Weight: approx. 0.093g

Dimensions in inches and ( millimeters )

ORDERING INFORMATION

RD2.0ES to RD39ES with suffix "AB1", "AB2", or "AB3"

should be applied for oders for suffix "AB"

MAXIMUM RATINGS

Rating at25 °C ambient temperature unless otherwise specified

Parameter

Forward Rectifier Current

Power Dissipation

Symbol

Value

150

Unit

PRSM

400

100

Surge Reverse Power(t = 10μs)

Junction Temperature

175

°C

Storage Temperature Range

Tstg

- 65 to + 175

°C

Fig. 1 POWER DISSIPATION vs. AMBIENT TEMPERATURE

500

400

300

200

100

20 40 60 80 100 120 140 160 180 200

Ta, AMBIENT TEMPERATURE (°C)

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Rev. 03 : December 3, 2008

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