5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.48 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | 最大动态阻抗： | 14 Ω |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 13 V |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 最大电压容差： | 5.58% |
| 工作测试电流： | 10 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RD13EB1 | SEMTECH |
获取价格 |
ZENER DIODES |
|
| RD13EB1 | NEC |
获取价格 |
500 mW DHD ZENER DIODE DO-35 |
|
| RD13EB1 | EIC |
获取价格 |
Zener Diode, |
|
| RD13EB1-T1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
RD13EB1-T1-AZ |
|
| RD13EB1-TB-AZ | RENESAS |
获取价格 |
RD13EB1-TB-AZ |
|
| RD13EB2 | SEMTECH |
获取价格 |
ZENER DIODES |
|
| RD13EB2 | EIC |
获取价格 |
Zener Diode, |
|
| RD13EB2 | NEC |
获取价格 |
500 mW DHD ZENER DIODE DO-35 |
|
| RD13EB2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
RD13EB2-AZ |
|
| RD13EB2-T1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
RD13EB2-T1-AZ |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
