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RBV800

更新时间： 2024-09-20 22:27:59
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2页 24K
描述
SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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RBV800 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.78
其他特性：HIGH RELIABILITY最小击穿电压：50 V
外壳连接：ISOLATED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：300 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
参考标准：TS 16949最大重复峰值反向电压：50 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

RBV800 数据手册

 浏览型号RBV800的Datasheet PDF文件第2页 
SILICON BRIDGE RECTIFIERS  
RBV800 - RBV810  
PRV : 50 - 1000 Volts  
Io : 8.0 Amperes  
RBV25  
3.9 ± 0.2  
C3  
30 ± 0.3  
4.9 ± 0.2  
FEATURES :  
* High current capability  
* High surge current capability  
* High reliability  
Æ3.2 ± 0.1  
* Low reverse current  
* Low forward voltage drop  
* High case dielectric strength of 2000 VDC  
* Ideal for printed circuit board  
* Very good heat dissipation  
+
~ ~  
1.0 ± 0.1  
MECHANICAL DATA :  
* Case : Reliable low cost construction  
utilizing molded plastic technique  
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant  
* Terminals : Plated lead solderable per  
MIL-STD-202, Method 208 guaranteed  
* Polarity : Polarity symbols marked on case  
* Mounting position : Any  
10  
7.5 7.5  
2.0 ± 0.2  
0.7 ± 0.1  
±0.2 ±0.2
 
±0.2  
Dimensions in millimeters  
* Weight : 7.7 grams  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
°
Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
RBV  
800  
RBV  
801  
RBV  
802  
RBV  
804  
RBV  
806  
RBV  
808  
RBV  
810  
RATING  
SYMBOL  
UNIT  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
50  
35  
50  
100  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
8.0  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
Volts  
Volts  
RMS  
V
70  
700  
Maximum DC Blocking Voltage  
VDC  
100  
1000  
Volts  
°
F(AV)  
Maximum Average Forward Current Tc = 55 C  
Peak Forward Surge Current Single half sine wave  
Superimposed on rated load (JEDEC Method)  
Current Squared Time at t < 8.3 ms.  
I
Amps.  
FSM  
300  
160  
I
Amps.  
A2S  
I2t  
F
V
1.0  
Maximum Forward Voltage per Diode at IF = 4.0 Amps.  
Volts  
°
m
IR  
10  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
Typical Thermal Resistance (Note 1)  
Ta = 25 C  
A
°
R(H)  
200  
m
A
Ta = 100 C  
I
°
q
2.5  
R JC  
C/W  
J
- 40 to + 150  
- 40 to + 150  
°
C
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
°
C
TSTG  
Notes :  
1. Thermal Resistance from junction to case with units mounted on a 3.2"x3.2"x0.12" THK (8.2cm.x8.2cm.x0.3cm.) Al. Plate. heatsink.  
UPDATE : AUGUST 3, 1998  
12

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