Datasheet > RBU401M

RBU401M

更新时间： 2024-10-30 03:37:51

品牌	Logo	应用领域
RECTRON		/
页数	文件大小	规格书
3页	227K
描述
SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 4.0 Ampere

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RBU401M 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T4
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.75	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	50 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	130 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	4 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	265	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	50 V	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

RBU401M 数据手册

RBU401M

THRU

RBU407M

SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED

SILICON BRIDGE RECTIFIER

VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 4.0 Ampere

FEATURES

* Ideal for printed circuit board

* Surge overload rating: 130 amperes peak

* Mounting position: Any

RBU

.880 (22.3)

.860 (21.8)

MECHANICAL DATA

* UL listed the recognized component directory,file #E252754

* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O

.140 (3.56)

.130 (3.30)

.160 (4.1)

.140 (3.5)

.512 (13.0)

.085 (2.16)

.075 (1.90)

.100 (2.54)

.085 (2.16)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ^oC ambient temperature unless otherwise specified.

.022 (0.56)

.018 (0.46)

.080 (2.03)

.065 (1.65)

.210 (5.33)

.190 (4.83)

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS (@ T

=25 C unless otherwise noted)

RATINGS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

SYMBOL RBU401M RBU402M RBU403M RBU404M RBU405M RBU406M RBU407M

UNITS

Volts

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

RRM

RMS

Maximum DC Blocking Voltage

100

1000

Maximum Average Forward Rectified Current

Amps

at T = 50^oC

4.0

Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)

Amps

130

FSM

Typical Junction Capacitance (Note 3)

4.2

θ JC

θ JA

Typical Thermal Resistance (Note 1)

⁰C/W

⁰C

Operating and Storage Temperature Range

T , T

J STG

-55 to + 150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(@T =25 C unless otherwise noted)

CHARACTERISTICS

SYMBOL

RBU401M

RBU405M RBU406M RBU407M

RBU402M RBU403M RBU404M

1.1

UNITS

Volts

Maximum Instantaneous Forward Voltage at 4.0A DC

@T = 25^oC

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

2.0

µAmps

@T = 125^oC

500

NOTES : 1. Thermal Resistance : Heat-sink case mounted or if PCB mounted.

2. "Fully ROHS compliant", "100% Sn plating (Pb-free)".

3. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0 voltage.

4. Equivalent to Vishay's GBU4 Series.

2006-12

12 3

中文翻译

下载PDF

与RBU401M相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RBU401M_10	RECTRON	获取价格	SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURR
RBU401M_13	RECTRON	获取价格	SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER
RBU401M-B	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode,
RBU401M-B-HF	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode,
RBU401M-C-HF	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode,
RBU402	ASEMI	获取价格	整流桥
RBU402M	RECTRON	获取价格	SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURR
RBU402M-B-HF	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode,
RBU402M-C	RECTRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 4A, 100V V(RRM),
RBU403	ASEMI	获取价格	整流桥

与RBU401M相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

18
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

20
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

45
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

RBU401M

RBU401M 技术参数

RBU401M 数据手册

与RBU401M相关器件

与RBU401M相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

RBU401M

RBU401M 技术参数

RBU401M 数据手册

与RBU401M相关器件

与RBU401M相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？