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RBR3MM40BTF

更新时间: 2024-11-02 11:08:19
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罗姆 - ROHM 二极管
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8页 2288K
描述
RBR3MM40BTF是低VF的一般整流用途的肖特基势垒二极管。

RBR3MM40BTF 数据手册

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RBR3MM40BTF  
Schottky Barrier Diode  
(AEC-Q101 qualified)  
Data sheet  
Outline  
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ ꢀꢀꢀꢀ  
V
40  
3
V
A
A
R
I
o
I
30  
FSM  
ꢀ ꢀ ꢀ  
Features  
Inner Circuit  
High reliability  
Small power mold type  
Low V  
F
Application  
Packaging Specifications  
Packing  
General rectification  
Embossed Tape  
Reel Size(mm)  
Taping Width(mm)  
Quantity(pcs)  
180  
8
3000  
TR  
Structure  
Silicon epitaxial planar  
Taping Code  
Marking  
A4  
(T =25ºC unless otherwise specified)  
Absolute Maximum Ratings  
c
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
Symbol  
Conditions  
Duty0.5  
Limits  
40  
40  
Unit  
V
V
V
RM  
V
Reverse direct voltage  
R
Glass epoxy mounted  
I
60Hzhalf sin waveformresistive load、  
Average rectified forward current  
3
A
A
o
T =94Max.  
c
60Hzhalf sin waveformNon-repetitive、  
I
Peak forward surge current  
30  
FSM  
one cycleT =25℃  
a
Junction temperature(1)  
Storage temperature  
-
-
150  
-55 150  
T
T
stg  
j
Note(1) To avoid occurrence of thermal runawayactual board is to be designed to fulfill dP /dT<1/R .  
d
j
th(j-a)  
(T =25ºC unless otherwise specified)  
Characteristics  
j
Parameter  
Forward voltage  
Symbol  
Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
V
I =3A  
F
-
-
0.58  
V
F
I
R
Reverse current  
V =40V  
R
-
-
100 μA  
Attention  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
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2022/01/18_Rev.003  

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