5秒后页面跳转
RBR3LAM60ATFTR PDF预览

RBR3LAM60ATFTR

更新时间: 2024-01-13 06:30:45
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 2129K
描述
Rectifier Diode,

RBR3LAM60ATFTR 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:12 weeks
风险等级:1.6其他特性:HIGH RELIABILITY
应用:GENERAL PURPOSE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.66 VJESD-30 代码:R-PDSO-F2
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:45 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最大输出电流:3 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED参考标准:AEC-Q101
最大重复峰值反向电压:60 V最大反向电流:100 µA
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

RBR3LAM60ATFTR 数据手册

 浏览型号RBR3LAM60ATFTR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RBR3LAM60ATFTR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号RBR3LAM60ATFTR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号RBR3LAM60ATFTR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号RBR3LAM60ATFTR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号RBR3LAM60ATFTR的Datasheet PDF文件第7页 
RBR3LAM60ATF  
Schottky Barrier Diode  
(AEC-Q101 qualified)  
Data sheet  
Outline  
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ ꢀꢀꢀꢀ  
ꢀ ꢀ ꢀ  
V
60  
3
V
A
A
R
I
o
I
45  
FSM  
ꢀ ꢀ ꢀ  
Features  
Inner Circuit  
High reliability  
Small power mold type  
Low V  
F
Application  
Packaging Specifications  
Packing  
General rectification  
Embossed Tape  
Reel Size(mm)  
180  
12  
3000  
TR  
Taping Width(mm)  
Basic Ordering Unit(pcs)  
Taping Code  
Structure  
Silicon epitaxial planar  
Marking  
03  
(T =25ºC unless otherwise specified)  
Absolute Maximum Ratings  
c
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
Symbol  
Conditions  
Duty0.5  
Limits  
60  
60  
Unit  
V
V
V
RM  
V
Reverse direct voltage  
R
Glass epoxy mounted  
I
60Hzhalf sin waveformresistive load、  
Average rectified forward current  
3
A
A
o
T =105Max.  
c
60Hzhalf sin waveformNon-repetitive、  
I
Peak forward surge current  
45  
FSM  
one cycleT =25℃  
a
Junction temperature(1)  
Storage temperature  
-
-
150  
-55 150  
T
j
T
stg  
Note(1) To avoid occurrence of thermal runawayactual board is to be designed to fulfill dP /dT<1/R .  
d
j
th(j-a)  
(T =25ºC unless otherwise specified)  
Characteristics  
j
Parameter  
Forward voltage  
Symbol  
Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
V
I =3A  
F
-
-
0.66  
V
F
I
R
Reverse current  
V =60V  
R
-
-
100 μA  
Attention  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
www.rohm.com  
©2016 ROHMCo., Ltd.All rights reserved.  
1/5  
2017/03/31_Rev.001  

与RBR3LAM60ATFTR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RBR3LAM60B ROHM

获取价格

RBR3LAM60B是低VF的一般整流用肖特基势垒二极管。
RBR3LAM60BTF ROHM

获取价格

RBR3LAM60BTF是适合一般整流用途的车载级高可靠性肖特基势垒二极管。8-chann
RBR3LB30B (新产品) ROHM

获取价格

RBR3LB30B is the high reliability schottky barrier diode with low VF for general rectifica
RBR3LB40C (新产品) ROHM

获取价格

RBR3LB40C is the high reliability schottky barrier diode with low VF for general rectifica
RBR3LB60B (新产品) ROHM

获取价格

RBR3LB60B is the high reliability schottky barrier diode with low VF for general rectifica
RBR3MM30A ROHM

获取价格

RBR3MM30A是低VF的肖特基势垒二极管。
RBR3MM30ATF ROHM

获取价格

RBR3MM30ATF是低VF的一般整流用途的肖特基势垒二极管。
RBR3MM40A ROHM

获取价格

RBR3MM40A是低VF的肖特基势垒二极管。
RBR3MM40ATF ROHM

获取价格

RBR3MM40ATF是低VF的一般整流用途的肖特基势垒二极管。
RBR3MM40B ROHM

获取价格

RBR3MM40B是低VF的肖特基势垒二极管。