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RBR1MM60A

更新时间： 2024-10-03 11:08:15

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		二极管
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8页	2276K
描述
RBR1MM60A是低VF的肖特基势垒二极管。

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RBR1MM60A 数据手册

RBR1MM60A

Schottky Barrier Diode

Data sheet

●Outline

ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ ꢀꢀꢀꢀ

ꢀ

FSM

ꢀ

ꢀ ꢀ ꢀ

●Features

●Inner Circuit

High reliability

Small power mold type

Low V

●Application

●Packaging Specifications

Packing

General rectification

Embossed Tape

Reel Size(mm)

Taping Width(mm)

Quantity(pcs)

180

3000

●Structure

Silicon epitaxial planar

Taping Code

Marking

(T =25ºC unless otherwise specified)

●Absolute Maximum Ratings

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Symbol

Conditions

Duty≦0.5

Limits

Unit

Reverse direct voltage

Glass epoxy mounted、

60Hzhalf sin waveform、resistive load、

Average rectified forward current

T =129℃ Max.

60Hzhalf sin waveform、Non-repetitive、

Peak forward surge current

FSM

one cycle、T =25℃

Junction temperature⁽¹⁾

Storage temperature

150

-55 ～ 150

℃

stg

℃

Note(1) To avoid occurrence of thermal runaway， actual board is to be designed to fulfill dP /dT<1/R .

th(j-a)

(T =25ºC unless otherwise specified)

●Characteristics

Parameter

Forward voltage

Symbol

Conditions

Min. Typ. Max. Unit

I =1A

0.53

Reverse current

V =60V

μA

Attention

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

www.rohm.com

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ꢀ

2022/01/18_Rev.003

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