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RBR20BM60AFHTL

更新时间: 2024-02-09 16:17:22
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 二极管
页数 文件大小 规格书
10页 1916K
描述
Rectifier Diode,

RBR20BM60AFHTL 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PSSO-G2Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.69其他特性:HIGH RELIABILITY
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.59 V
JEDEC-95代码:TO-252JESD-30 代码:R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流:100 A元件数量:2
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:10 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
参考标准:AEC-Q101最大重复峰值反向电压:60 V
最大反向电流:600 µA表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

RBR20BM60AFHTL 数据手册

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RBR20BM60AFH  
Schottky Barrier Diode  
(AEC-Q101 qualified)  
Data sheet  
Outline  
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ ꢀꢀꢀꢀ  
ꢀ ꢀ ꢀ  
V
60  
20  
V
A
A
R
I
o
I
100  
FSM  
ꢀ ꢀ ꢀ  
Features  
Inner Circuit  
High reliability  
Power mold type  
Cathode common dual type  
Low V  
F
Application  
Packaging Specifications  
Packing  
Switching power supply  
Embossed Tape  
Reel Size(mm)  
330  
16  
2500  
Taping Width(mm)  
Basic Ordering Unit(pcs)  
Taping Code  
Structure  
Silicon epitaxial planar  
TL  
Marking  
BR20BM60A  
(T =25ºC unless otherwise specified)  
Absolute Maximum Ratings  
c
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Limits  
Unit  
V
V
Repetitive peak reverse voltage  
Duty0.5  
60  
RM  
V
Reverse voltage  
Reverse direct voltage  
60  
V
A
R
60Hzhalf sin waveformresistive load,  
I
o
Average rectified forward current  
Peak forward surge current  
Junction temperature(1)  
Storage temperature  
20  
I /2 per diodeT =50Max.  
o
c
60Hzhalf sin waveform,  
I
100  
A
FSM  
non-repetitiveper diodeT =25℃  
a
T
-
-
150  
j
T
stg  
-55 150  
Note(1) To avoid occurrence of thermal runawayactual board is to be designed to fulfill dP /dT<1/R .  
θJA  
d
j
Attention  
www.rohm.com  
©2018- ROHMCo., Ltd.All rights reserved.  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
1/6  
2018/06/05_Rev.002  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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