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RBR20T60ANZ

更新时间： 2023-09-03 20:25:06

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罗姆 - ROHM		二极管
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7页	1320K
描述
RBR20T60ANZ是适合一般整流用途的肖特基势垒二极管。

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RBR20T60ANZ 数据手册

Schottky Barrier Diode

Datasheet

Structure

RBR20T60ANZ

Application

Dimensions (Unit : mm)

Switching power supply

Features

1) Cathode common dual type

(1)

(2)

(3)

Cathode Anode

Anode

2) High reliability

Low V_F

Construction

Silicon epitaxial planar type

ROHM : TO220FN

Manufacture date

Package Dimensions (Unit : mm)

540

Absolute Maximum Ratings (T_c= 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

Limits

Unit

V_RM

V_R

I_o

Duty≦0.5

Repetitive Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

Direct Reverse Voltage

60Hz half sin Wave, resistive load,

I_O/2 per diode, T_c=115°C Max.

60Hz half sin wave, Non-repetitive at

T_a=25°C, 1cycle, per diode

Average Forward Rectified Current

Non-repetitive Forward Current Surge Peak

I_FSM

T_j

100

150

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

°C

T_stg

55 to 150 °C

Electrical and Thermal Characteristics (T_j= 25°C)

Parameter

Forward Voltage

Conditions

I_F=10A

Symbol

V_F

Min. Typ. Max. Unit

0.64

400

V_R=60V

I_R

Reverse Current

A

R_th(j-c)

Junction to Case

Thermal Resistance

°C/W

www.rohm.com

2017.07 - Rev.B

1/4

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