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RB706W-40

更新时间： 2024-01-20 19:04:28

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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5页	1105K
描述
Schottky Barrier Diode

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RB706W-40 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB706W-40

Applications

Dimensions (Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

Rectifying small power

1.0

0.5

1.6±0.2

0.3±0.1

ꢀꢀꢀ 0.05

0.15±0.05

(3)

0.7

Features

1)Ultra small mold type. (EMD3)

2)High reliability

0～0.1

0.6

EMD3

0.6

(1)

(2)

0.5

0.2±0.1

ꢀꢀ-0.05

0.55±0.1

0.7±0.1

0.5

1.0±0.1

Construction

Structure

Silicon epitaxial planer

ROHM :

JEDEC : SOT-416

JEITA : SC-75A

dot (year week factory)

Taping dimensions (Unit : mm)

φ1.55±0.1

2.0±0.05

0.3±0.1

4.0±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

1.8±0.1

φ0.5±0.1

0.9±0.2

Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

I_FSM

°C

200

125

Storage temperature

Tstg

40 to 125

Electrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Conditions

I_F=1mA

Symbol

Min.

Typ.

2.0

Max.

0.37

1.0

Unit

V_F

I_R

Reverse current

V_R=10V

μA

V_R=1V , f=1MHz

Capacitance between terminals

www.rohm.com

2011.09 - Rev.A

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