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RB706F-40FH

更新时间： 2024-02-27 10:55:27

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罗姆 - ROHM		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	638K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.03A, 45V V(RRM), Silicon, UMD3, SC-70, 3 PIN

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技术参数
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RB706F-40FH 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	UMD3, SC-70, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.69	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.03 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	45 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RB706F-40FH 数据手册

RB706F-40FH

Diodes

AEC-Q101 Qualified

Shottky barrier diode

RB706F-40FH

zApplication

zExternal dimensions (Unit : mm)

zLead size figure (Unit : mm)

Low current rectification

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zFeatures

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Each lead has same dimension

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1) Small mold type. (UMD3)

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2) Low V

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zStructure

Silicon epitaxial planer

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zTaping dimensions (Unit : mm)

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zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current

Forward current surge peak (60Hz̠1cyc)

Junction temperature

200

125

I_FSM

㷄

Storage temperature

-40 to +125

Tstg

㷄

zElectrical characteristics (Ta=25qC)

Parameter

Conditions

I_F=1mA

Symbol

Min.

Typ.

0.26

0.05

2.0

Max.

0.37

Unit

Forward voltage

V_F

I_R

Reverse current

μA

V_R=10V

Capacitance between terminals

V_R=1V , f=1MHz

Rev.A

1/3

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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