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RB501V-40

更新时间： 2024-09-30 02:50:47

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		肖特基二极管光电二极管
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描述
Schottky Barrier Diode

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RB501V-40 数据手册

BL Galaxy Electrical

Production specification

Schottky Barrier Diode

RB501V-40

FEATURES

Lead-free

High current rectifier schottky diode.

Low voltage;Low inductance.

For power supply.

APPLICATIONS

High frequency rectification.

SOD-323

ORDERING INFORMATION

Type No.

Marking

Package Code

RB501V-40

SOD-323

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

V_RM

V_R

Limits

Unit

Peak reverse voltage

DC reverse voltage

Mean rectifying current

Peak forward surge current

Junction temperature

Storage temperature

I_O

0.1

I_FSM

T_j

125

℃

T_stg

-55~+125

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Min. Typ. Max.

Unit

Conditions

0.55

0.34

I_F=100mA

I_F=10mA

Forward voltage

V_F

Reverse current

I_R

μA

V_R=10v

Capacitance between terminals

C_T

V_R=10V,f=1MHz

Document number: BL/SSSKB021

Rev.A

www.galaxycn.com

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