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RB425D_11

更新时间： 2024-10-14 09:37:55

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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4页	1002K
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Schottky Barrier Diode

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RB425D_11 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB425D

Applications

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

1.9

Low power rectification

2.9±0.2

各リードとも

Each lead has same dimension

0.4^＋0.1

ꢀ－0.05

同寸法

＋0.1

0.15_－0.06

0.95

Features

(3)

1) Small mold type. (SMD3)

2) Low I^R

3) High reliability.

0.8MIN.

SMD3

0～0.1

(2)

(1)

0.8±0.1

0.95

1.9±0.2

Construction

1.1±0.2

0.01

Silicon epitaxial planer

Structure

ROHM : SMD3

JEDEC :S0T-346

JEITA : SC-59

week code

Taping specifications(Unit : mm)

φ1.5±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3±0.1

φ1.05MIN

4.0±0.1

3.2±0.1

1.35±0.1

Absolute maximum ratings(Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

V_R

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz・1cyc) (*1)

Junction temperature

100

I_FSM

125

°C

Storage temperature

40 to 125

Tstg

(*1) Rating of per diode：Io/2

Electrical characteristics(Ta=25°C)

Parameter

Conditions

I_F=100mA

Symbol

V_F1

Min.

Typ.

Max.

0.55

0.34

Unit

Forward voltage

V_F2

I_F=10mA

V_R=10V

I_R1

Reverse current

μA

V_R=10V , f=1MHz

Capacitance between terminals

Ct1

www.rohm.com

1/3

2011.04 - Rev.B

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