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RB228T100

更新时间： 2024-11-11 09:37:55

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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Schottky Barrier Diode

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RB228T100 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB228T100

Applications

Dimensions (Unit : mm)

Structure

Switching power supply

4.5±0.3

ꢀꢀꢀ 0.1

2.8±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

10.0±0.3

ꢀꢀꢀ 0.1

Features

1)Cathode common type.

2)Low I_R

3)High reliability

①

Construction

1.2

Silicon epitaxial planer

1.3

0.8

(1) (2) (3)

0.7±0.1

0.05

2.6±0.5

ROHM : ＴO220FN

Manufacture Date

①

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Limits

110

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

100

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz・1cyc) (*2)

Junction temperature

I_FSM

100

150

C

Storage temperature

40 to 150

Tstg

(*1) Business frequence sin wave, Tc=83°C max. Rating of per diode : lo/2

(*2) per diode

Electrical characteristics (Ta=25C)

Parameter

Symbol

V_F

Min.

Typ.

Max.

0.87

0.15

2.00

Unit

Conditions

I_F=5A

V_R=100V

junction to case

Forward voltage

I_R

Reverse current

°C/W

Thermal impedance

θjc

www.rohm.com

2011.12 - Rev.A

1/4

12 3 4 5

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