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RB228T150NZ

更新时间: 2024-11-12 11:12:51
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罗姆 - ROHM 开关二极管
页数 文件大小 规格书
8页 1371K
描述
RB228T150NZ是面向开关电源的超低IR肖特基势垒二极管。

RB228T150NZ 数据手册

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Schottky Barrier Diode  
Datasheet  
RB228T150NZ  
Application  
Dimensions (Unit : mm)  
Structure  
Switching power supply  
Features  
1) Cathode common type  
(1)  
Anode  
(2)  
(3)  
Cathode Anode  
2) High reliability  
Super low IR  
3)  
Construction  
Silicon epitaxial planar type  
1
: Manufacture Date  
Package Dimensions (Unit : mm)  
7
540  
Absolute Maximum Ratings (Tc= 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Limits  
150  
150  
30  
Unit  
V
VRM  
VR  
Io  
Duty0.5  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Reverse Voltage  
Direct Reverse Voltage  
V
Glass epoxy board mounted, 60Hz half sin wave,  
resistive load, IO/2 per diode,Tc=100ºC Max.  
60Hz half sin wave, Non-repetitive at  
Ta=25ºC, 1cycle, per diode  
Average Forward Rectified Current  
Non-repetitive Forward Current Surge Peak  
A
IFSM  
Tj  
100  
150  
A
-
-
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
°C  
Tstg  
55 to 150 °C  
Electrical and Thermal Characteristics (Tj= 25°C)  
Parameter  
Forward Voltage  
Conditions  
IF=15A  
Symbol  
VF  
Min. Typ. Max. Unit  
-
-
-
-
-
-
0.88  
25  
2
V
VR=150V  
IR  
Reverse Current  
A  
Rth(j-c)  
Junction to case  
°C / W  
Thermal Resistance  
www.rohm.com  
© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2017.07 - Rev.B  
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