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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | QCCN, | 针数： | 68 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 地址总线宽度： | 16 | 边界扫描： | NO |
| 外部数据总线宽度： | JESD-30 代码： | S-CQCC-N68 | |
| 长度： | 24.13 mm | 低功率模式： | NO |
| 端子数量： | 68 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | |
| 封装代码： | QCCN | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.3 mm | 最大供电电压： | 5.5 V |
| 最小供电电压： | 4.5 V | 标称供电电压： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 宽度： | 24.13 mm | uPs/uCs/外围集成电路类型： | MEMORY CONTROLLER, DRAM |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R432057 | INTEL |
获取价格 |
DRAM Controller, CMOS, CQCC68, HERMETIC SEALED, LCC-68 |
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| R432058 | INTEL |
获取价格 |
DRAM Controller, CMOS, CQCC68, HERMETIC SEALED, LCC-68 |
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| R4320E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 200V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 |
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| R4320FE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 200V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 |
|
| R4320TS | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 200V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 |
|
| R4320TSE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 200V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 |
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| R4321B | ETC |
获取价格 |
Optoelectronic |
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| R4322 | ETC |
获取价格 |
Optoelectronic |
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| R4322N | ETC |
获取价格 |
Optoelectronic |
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| R4324 | ETC |
获取价格 |
Optoelectronic |
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