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R2714ZC14J

更新时间： 2024-10-29 14:59:35
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
8页 332K
描述
Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4.5kV，平均电流超过5kA，额定tq最低为10µs。 独特的分布式门极设计和寿命控制功能使这些器件既具有

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NGB8202AN  
Ignition IGBT  
20 A, 400 V, N−Channel D2PAK  
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features  
monolithic circuitry integrating ESD and Overvoltage clamped  
protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses  
include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and  
high current switching is required.  
Littelfuse.com  
20 AMPS, 400 VOLTS  
Features  
V
CE(on) = 1.3 V @  
• Ideal for Coil−on−Plug and Driver−on−Coil Applications  
• Gate−Emitter ESD Protection  
IC = 10 A, VGE . 4.5 V  
C
• Temperature Compensated Gate−Collector Voltage Clamp Limits  
Stress Applied to Load  
• Integrated ESD Diode Protection  
R
G
G
• Low Threshold Voltage for Interfacing Power Loads to Logic or  
Microprocessor Devices  
R
GE  
• Low Saturation Voltage  
• High Pulsed Current Capability  
E
• These are Pb−Free Devices  
Applications  
2
D PAK  
CASE 418B  
STYLE 4  
• Ignition Systems  
1
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
MARKING DIAGRAM  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Gate Voltage  
Gate−Emitter Voltage  
Symbol  
Value  
440  
Unit  
V
4
V
CES  
Collector  
V
CER  
440  
V
GB  
V
GE  
"15  
V
8202xxG  
AYWW  
Collector Current−Continuous  
I
C
20  
50  
A
DC  
A
AC  
@ T = 25°C − Pulsed  
C
Continuous Gate Current  
I
I
1.0  
20  
mA  
mA  
kV  
1
Gate  
3
G
Emitter  
2
Transient Gate Current (t≤2 ms, f≤100 Hz)  
ESD (Charged−Device Model)  
G
Collector  
ESD  
ESD  
2.0  
GB8202xx = Device Code  
xx = AN  
ESD (Human Body Model)  
kV  
R = 1500 W, C = 100 pF  
8.0  
A
= Assembly Location  
Y
WW  
G
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
ESD (Machine Model) R = 0 W, C = 200 pF  
ESD  
500  
V
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
D
150  
1.0  
W
W/°C  
C
Derate above 25°C  
ORDERING INFORMATION  
Operating & Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to +175  
°C  
J
stg  
†
Device  
Package  
Shipping  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
NGB8202ANT4G  
NGB8202ANTF4G  
800/Tape & Reel  
700/Tape & Reel  
2
D PAK  
(Pb−Free)  
Specifications subject to change without notice. © 2016 Littelfuse, Inc.  
1
Publication Order Number:  
December, 2016 − Rev. 10  
NGB8202AN/D  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R2714ZC14K LITTELFUSE

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 		Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4
R2714ZC16H LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier,
R2714ZC16J IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5411A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element,
R2714ZC16K LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier,
R2714ZC18H LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5411A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element,
R2714ZC18J IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5411A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element,
R2714ZC18K IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 5411A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element,
R2714ZD14H LITTELFUSE

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 		Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4
R2714ZD14J LITTELFUSE

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 		Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4
R2714ZD14K LITTELFUSE

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