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R2714ZC16H

更新时间： 2024-10-28 19:44:47
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力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
13页 1113K
描述
Silicon Controlled Rectifier,

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R2714ZC16H 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.71
Base Number Matches：1

R2714ZC16H 数据手册

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Date:- 20 Jun, 2019  
Data Sheet Issue:- 1  
WESTCODE  
Distributed Gate Thyristor  
Type R2714ZC16x to R2714ZC18x  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
1600-1800  
V
V
V
V
1600-1800  
1600-1800  
1700-1900  
MAXIMUM  
LIMITS  
2714  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
ITSM2  
I2t  
Mean on-state current, Tsink=55°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
Nominal RMS on-state current, Tsink=25°C, (note 2)  
D.C. on-state current, Tsink=25°C, (note 4)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM£10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM£10V, (note 5)  
Maximum rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)  
Maximum rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)  
Peak reverse gate voltage  
A
A
1828  
1078  
A
5411  
A
4561  
A
35600  
39000  
6.34×106  
7.61×106  
1000  
A
A
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
I2t  
diT/dt  
1500  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
VGD  
5
Mean forward gate power  
5
W
Peak forward gate power  
30  
W
Non-trigger gate voltage, (Note 7)  
0.25  
V
THS  
Operating temperature range  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
6) VD=67% VDRM, IFG=2A, tr£0.5µs, Tcase=125°C.  
7) Rated VDRM  
.
Data Sheet. Type R2714ZC16x to R2714ZC18x Issue 1  
Page 1 of 12  
June, 2019  
1234567...13

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与R2714ZC16H相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R2714ZC16J IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5411A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element,
R2714ZC16K LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier,
R2714ZC18H LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5411A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element,
R2714ZC18J IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 5411A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element,
R2714ZC18K IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 5411A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element,
R2714ZD14H LITTELFUSE

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 		Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4
R2714ZD14J LITTELFUSE

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 		Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4
R2714ZD14K LITTELFUSE

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 		Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4
R2714ZD18H LITTELFUSE

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 		Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4
R2714ZD18J LITTELFUSE

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