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R1RW0416DGE-2LR

更新时间: 2024-02-10 10:18:45
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
16页 100K
描述
4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit)

R1RW0416DGE-2LR 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ, SOJ44,.44针数:44
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.51
Is Samacsys:N最长访问时间:12 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J44
长度:28.57 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
湿度敏感等级:2功能数量:1
端子数量:44字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ44,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):245电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.55 mm
最大待机电流:0.005 A最小待机电流:3 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.13 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

R1RW0416DGE-2LR 数据手册

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R1RW0416D Series  
Timing Waveforms  
Read Timing Waveform (1) (WE# = VIH)  
tRC  
Address  
Valid address  
tAA  
tACS  
CS#  
OE#  
1
1
*
tOE  
tCHZ  
tBA  
tOHZ  
*
LB#, UB#  
1
tBHZ  
1
*
tBLZ  
*
1
tOLZ  
tOH  
*
1
tCLZ  
*
4
4
*
*
High impedance  
DOUT  
Valid data  
Rev.1.00, Mar.12.2004, page 9 of 14  

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