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R1RW0416DGE-2LR

更新时间： 2024-01-20 00:02:15

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瑞萨 - RENESAS		存储内存集成电路静态存储器光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
16页	100K
描述
4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit)

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R1RW0416DGE-2LR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ, SOJ44,.44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.51
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	12 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J44
长度：	28.57 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	2	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ44,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	245	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.55 mm
最大待机电流：	0.005 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

R1RW0416DGE-2LR 数据手册

R1RW0416D Series

AC Characteristics

(Ta = 0 to +70°C, V_CC= 3.3 V ± 0.3 V, unless otherwise noted.)

Test Conditions

•

Input pulse levels: 3.0 V/0.0 V

Input rise and fall time: 3 ns

Input and output timing reference levels: 1.5 V

Output load: See figures (Including scope and jig)

3.3 V

1.5 V

RL = 50 Ω

D_OUT

319 Ω

D_OUT

Zo = 50 Ω

353 Ω

5 pF

30 pF

Output load (B)

(for t_CLZ, t_OLZ, t_BLZ, t_CHZ, t_OHZ

_BHZ, t_WHZ, and t_OW

Output load (A)

)

Read Cycle

R1RW0416D

-2

Parameter

Symbol

Min

Max

Unit

Notes

Read cycle time

t_RC

Address access time

t_AA

Chip select access time

t_ACS

t_OE

Output enable to output valid

Byte select to output valid

t_BA

Output hold from address change

Chip select to output in low-Z

Output enable to output in low-Z

Byte select to output in low-Z

Chip deselect to output in high-Z

Output disable to output in high-Z

Byte deselect to output in high-Z

t_OH

t_CLZ

t_OLZ

t_BLZ

t_CHZ

t_OHZ

t_BHZ

Rev.1.00, Mar.12.2004, page 7 of 14

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