是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SOP, TSSOP28,.53,22 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.63 |
最长访问时间: | 55 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 | JESD-609代码: | e2 |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 2 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | TSSOP28,.53,22 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.000002 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.035 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Copper (Sn/Cu) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.55 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
R1LP5256ESA-5SI#S0 | RENESAS |
功能相似 |
256Kb Advanced LPSRAM (32k word x 8bit) | |
R1LP5256ESA-5SI#B0 | RENESAS |
功能相似 |
256Kb Advanced LPSRAM (32k word x 8bit) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
R1LP5256ESA-5SI#B0 | RENESAS |
获取价格 |
256Kb Advanced LPSRAM (32k word x 8bit) | |
R1LP5256ESA-5SI#S0 | RENESAS |
获取价格 |
256Kb Advanced LPSRAM (32k word x 8bit) | |
R1LP5256ESA-5SI#S1 | RENESAS |
获取价格 |
256Kb Advanced LPSRAM (32k word x 8bit) | |
R1LP5256ESA-5SI-B0 | RENESAS |
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256Kb Advanced LPSRAM (32k word x 8bit) | |
R1LP5256ESA-5SI-S0 | RENESAS |
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256Kb Advanced LPSRAM (32k word x 8bit) | |
R1LP5256ESA-5SR-B0 | RENESAS |
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256Kb Advanced LPSRAM (32k word x 8bit) | |
R1LP5256ESA-5SR-S0 | RENESAS |
获取价格 |
256Kb Advanced LPSRAM (32k word x 8bit) | |
R1LP5256ESA-7SI-B0 | RENESAS |
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256Kb Advanced LPSRAM (32k word x 8bit) | |
R1LP5256ESA-7SI-S0 | RENESAS |
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256Kb Advanced LPSRAM (32k word x 8bit) | |
R1LP5256ESA-7SR-B0 | RENESAS |
获取价格 |
256Kb Advanced LPSRAM (32k word x 8bit) |