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R1331NS10C

更新时间： 2024-02-15 03:19:47
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
12页 685K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 2687A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element,

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R1331NS10C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.81配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：300 mAJESD-30 代码：O-CXDB-X4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：2687 A
断态重复峰值电压：1000 V重复峰值反向电压：1000 V
表面贴装：YES端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

R1331NS10C 数据手册

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Date:- 17 Dec, 2002  
Data Sheet Issue:- 1  
Distributed Gate Thyristor  
Type R1331NS10# to R1331NS12#  
(Old Type Number: D450CH02-12)  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
1000-1200  
V
V
V
V
1000-1200  
1000-1200  
1100-1300  
MAXIMUM  
LIMITS  
1331  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AVM)  
IT(AVM)  
IT(AVM)  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
Maximum average on-state current, Tsink=55°C, (note 2)  
Maximum average on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Maximum average on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
Nominal RMS on-state current, Tsink=25°C, (note 2)  
D.C. on-state current, Tsink=25°C, (note 4)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm=0.6VRRM, (note 5)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm≤10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm=0.6VRRM, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm≤10V, (note 5)  
Critical rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)  
Critical rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)  
Peak reverse gate voltage  
A
A
A
A
A
878  
503  
2687  
2191  
18.2  
kA  
kA  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
ITSM2  
20.0  
I2t  
1.66×106  
2.0×106  
1000  
I2t  
(di/dt)cr  
1500  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
5
5
30  
Mean forward gate power  
Peak forward gate power  
W
W
Tj op  
Tstg  
Operating temperature range  
Storage temperature range  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
6) VD=67% VDRM, IFG=2A, tr≤0.5µs, Tcase=125°C.  
Data Sheet. Type R1331NS10# to R1331NS12# Issue 1  
Page 1 of 12  
December, 2002  
1234567...12

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与R1331NS10C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R1331NS10D IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2687A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element,
R1331NS12A IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2687A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element
R1331NS12B IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2687 A, 1200 V, SCR
R1331NS12C IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 2687A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,
R1331NS12D IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 2687A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,
R1332 ETC

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 		Optoelectronic
R1332N ETC

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 		Optoelectronic
R1333 ETC

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 		Optoelectronic
R1334 ETC

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 		Optoelectronic
R1334035J00 VISHAY

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 		CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 35V, 0.33uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED

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