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R1331NS10C

更新时间： 2024-11-09 19:34:11

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IXYS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
12页	685K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 2687A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element,

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R1331NS10C 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.81	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	300 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	2687 A
断态重复峰值电压：	1000 V	重复峰值反向电压：	1000 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

R1331NS10C 数据手册

Date:- 17 Dec, 2002

Data Sheet Issue:- 1

Distributed Gate Thyristor

Type R1331NS10# to R1331NS12#

(Old Type Number: D450CH02-12)

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

LIMITS

VOLTAGE RATINGS

UNITS

V_DRM

V_DSM

V_RRM

V_RSM

Repetitive peak off-state voltage, (note 1)

Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)

Repetitive peak reverse voltage, (note 1)

Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)

1000-1200

1100-1300

MAXIMUM

LIMITS

1331

OTHER RATINGS

UNITS

I_T(AVM)

I_T(RMS)

I_T(d.c.)

I_TSM

Maximum average on-state current, T_sink=55°C, (note 2)

Maximum average on-state current. T_sink=85°C, (note 2)

Maximum average on-state current. T_sink=85°C, (note 3)

Nominal RMS on-state current, T_sink=25°C, (note 2)

D.C. on-state current, T_sink=25°C, (note 4)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm=0.6V_RRM, (note 5)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm≤10V, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm=0.6V_RRM, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm≤10V, (note 5)

Critical rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)

Critical rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)

Peak reverse gate voltage

878

503

2687

2191

18.2

A²s

A/µs

I_TSM2

20.0

I²t

1.66×10⁶

2.0×10⁶

1000

I²t

(di/dt)_cr

1500

V_RGM

P_G(AV)

P_GM

Mean forward gate power

Peak forward gate power

T_{j op}

T_stg

Operating temperature range

Storage temperature range

-40 to +125

-40 to +150

°C

Notes:-

1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for T_jbelow 25°C.

2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

4) Double side cooled.

5) Half-sinewave, 125°C T_jinitial.

6) V_D=67% V_DRM, I_FG=2A, t_r≤0.5µs, T_case=125°C.

Data Sheet. Type R1331NS10# to R1331NS12# Issue 1

Page 1 of 12

December, 2002

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与R1331NS10C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
R1331NS10D	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2687A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element,
R1331NS12A	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2687A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element
R1331NS12B	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2687 A, 1200 V, SCR
R1331NS12C	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2687A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,
R1331NS12D	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2687A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,
R1332	ETC	获取价格	Optoelectronic
R1332N	ETC	获取价格	Optoelectronic
R1333	ETC	获取价格	Optoelectronic
R1334	ETC	获取价格	Optoelectronic
R1334035J00	VISHAY	获取价格	CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 35V, 0.33uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED

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