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R1331NS12B

更新时间： 2023-01-02 20:13:02

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
12页	685K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 2687 A, 1200 V, SCR

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R1331NS12B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.81	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	300 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	2687 A
断态重复峰值电压：	1200 V	重复峰值反向电压：	1200 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

R1331NS12B 数据手册

Date:- 17 Dec, 2002

Data Sheet Issue:- 1

Distributed Gate Thyristor

Type R1331NS10# to R1331NS12#

(Old Type Number: D450CH02-12)

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

LIMITS

VOLTAGE RATINGS

UNITS

V_DRM

V_DSM

V_RRM

V_RSM

Repetitive peak off-state voltage, (note 1)

Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)

Repetitive peak reverse voltage, (note 1)

Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)

1000-1200

1100-1300

MAXIMUM

LIMITS

1331

OTHER RATINGS

UNITS

I_T(AVM)

I_T(RMS)

I_T(d.c.)

I_TSM

Maximum average on-state current, T_sink=55°C, (note 2)

Maximum average on-state current. T_sink=85°C, (note 2)

Maximum average on-state current. T_sink=85°C, (note 3)

Nominal RMS on-state current, T_sink=25°C, (note 2)

D.C. on-state current, T_sink=25°C, (note 4)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm=0.6V_RRM, (note 5)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm≤10V, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm=0.6V_RRM, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm≤10V, (note 5)

Critical rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)

Critical rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)

Peak reverse gate voltage

878

503

2687

2191

18.2

A²s

A/µs

I_TSM2

20.0

I²t

1.66×10⁶

2.0×10⁶

1000

I²t

(di/dt)_cr

1500

V_RGM

P_G(AV)

P_GM

Mean forward gate power

Peak forward gate power

T_{j op}

T_stg

Operating temperature range

Storage temperature range

-40 to +125

-40 to +150

°C

Notes:-

1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for T_jbelow 25°C.

2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

4) Double side cooled.

5) Half-sinewave, 125°C T_jinitial.

6) V_D=67% V_DRM, I_FG=2A, t_r≤0.5µs, T_case=125°C.

Data Sheet. Type R1331NS10# to R1331NS12# Issue 1

Page 1 of 12

December, 2002

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与R1331NS12B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
R1331NS12C	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2687A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,
R1331NS12D	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2687A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,
R1332	ETC	获取价格	Optoelectronic
R1332N	ETC	获取价格	Optoelectronic
R1333	ETC	获取价格	Optoelectronic
R1334	ETC	获取价格	Optoelectronic
R1334035J00	VISHAY	获取价格	CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 35V, 0.33uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
R1334035K00	VISHAY	获取价格	CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 35V, 0.33uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
R1334035M00	VISHAY	获取价格	CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 35V, 0.33uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
R1334040J00	VISHAY	获取价格	CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 40V, 0.33uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED

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