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QST5TR

更新时间： 2024-09-23 12:26:43
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
3页 61K
描述
Low frequency amplifier

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QST5TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SC-95
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.74Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：2440670
Samacsys Pin Count：6Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：SOT23 (6-Pin)Samacsys Footprint Name：TSMT6
Samacsys Released Date：2019-08-28 10:04:52Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：270
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：280 MHz
Base Number Matches：1

QST5TR 数据手册

 浏览型号QST5TR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号QST5TR的Datasheet PDF文件第3页 
QST5  
Transistors  
Low frequency amplifier  
QST5  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zApplication  
Low frequency amplifier  
Driver  
2.8  
1.6  
zFeatures  
1pin mark  
1) A collector current is large.  
2) VCE(sat) : max. −370mV  
At lc= −1.5A / lB= −75mA  
Each lead has same dimensions  
ROHM : TSMT6 Abbreviated symbol : T05  
zEquivalent circuit  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
−30  
−30  
−6  
Unit  
V
V
(6)  
(5)  
(4)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
I
C
−2  
−4  
500  
1.25  
150  
A
A
mW  
W
°C  
°C  
Collector current  
Power dissipation  
∗1  
∗2  
∗3  
I
CP  
P
C
(1)  
(2)  
(3)  
Junction temperature  
Range of storage temperature  
∗1 Single pulse, Pw=1ms  
Tj  
Tstg  
−55 to +150  
∗2 Each terminal mounted on a recommended  
t
∗3 Mounted on a 25mm  
×
25mm  
×
0.8mm ceramic substrate  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
−30  
−30  
−6  
−
−
−
270  
−
−
Typ.  
−
−
−
−
Max.  
−
−
Unit  
V
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff curent  
I
I
I
C
= −10µA  
= −1mA  
V
C
−
V
E
= −10µA  
CB= −30V  
EB= −6V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−100  
−100  
−370  
680  
−
nA  
nA  
mV  
−
MHz  
pF  
V
V
Emitter cutoff current  
I
−
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
−180  
−
280  
20  
I
C
= −1.5A, I  
CE= −2V, I  
CE= −2V, I  
B
= −75mA  
= −200mA  
=200mA, f=100MHz  
h
V
V
V
C
Transition frequency  
f
T
E
CB= −10V, I  
E=0A, f=1MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
−
Rev.B  
1/2  
123

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