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QRB1114 PDF预览

QRB1114

更新时间： 2024-11-04 22:25:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 传感器换能器
页数 文件大小 规格书
4页 316K
描述
PHOTOTRANSISTOR REFLECTIVE OBJECT SENSOR

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QRB1114 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.8
其他特性：DAY LIGHT FILTER, 5V VCE主体宽度：5.33 mm
主体高度：22.94 mm主体长度或直径：17.86 mm
间隙大小：3.8 mm最大测量范围（毫米）：3.81 mm
最小测量范围（毫米）：3.81 mm安装特点：THROUGH HOLE MOUNT
信道数量：1最大工作电流：40 mA
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出电路类型：Transistor最大输出电流：3 mA
输出类型：ANALOG CURRENT最大输出电压：30 V
封装形状/形式：RECTANGULAR传感器/换能器类型：LINEAR POSITION SENSOR,PHOTOELECTRIC,DIFFUSE
子类别：Position, Linear, Photoelectric Sensors表面贴装：NO
端接类型：SOLDERVCEsat-Max：0.4 V
Base Number Matches：1

QRB1114 数据手册

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PHOTOTRANSISTOR  
REFLECTIVE OBJECT SENSOR  
QRB1113 QRB1114  
PACKAGE DIMENSIONS  
0.420 (10.67)  
0.328 (8.33)  
E
S
0.150 (3.81)  
NOM  
PIN 1  
PIN 2  
0.373 (9.47)  
0.226 (5.74)  
0.703 (17.86)  
PIN 3  
PIN 4  
0.020 (0.51)  
4X  
0.150 (3.81)  
MIN  
0.210 (5.33)  
0.603 (15.32)  
SCHEMATIC  
REFLECTIVE  
SURFACE  
0.300 (7.62)  
PIN1 ANODE  
PIN2 CATHODE  
PIN3 EMITTER  
PIN4 COLLECTOR  
NOTES:  
1. Dimensions for all drawings are in inches (mm).  
2. Tolerance of .010 (.25) on all nonꢀnominal dimensions ꢁnless  
1
2
4
3
otherwise specified.  
DESCRIPTION  
The QRB1113/1114 consists of an infrared emitting diode and an NPN silicon phototransistor mounted side by side on a converg-  
ing optical axis in a black plastic housing. The phototransistor responds to radiation from the emitting diode only when a reflective  
object passes within its field of view. The area of the optimum response approximates a circle .200" in diameter.  
FEATURES  
•
•
•
•
•
No contact surface sensing  
Phototransistor output  
Focused for sensing specular reflection  
Daylight filter on photosensor  
Dust cover  
© 2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Page 1 of 4  
3/5/02 DS300350  
1234

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