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Q67042-S4151

更新时间： 2024-02-08 12:00:46

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OptiMOS 2 Power-Transistor

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Q67042-S4151 数据手册

IPB09N03LA

IPI09N03LA, IPP09N03LA

9 Drain-source on-state resistance

10 Typ. gate threshold voltage

_DS(on)=f(T _j); I _D=30 A; V _GS=10 V

V _GS(th)=f(T _j); V _GS=V _DS

parameter: I _D

2.5

200 µA

98 %

1.5

20 µA

typ

0.5

-60

-20

100

140

180

-60

-20

T _j[°C]

100

140

180

T _j[°C]

11 Typ. Capacitances

12 Forward characteristics of reverse diode

I _F=f(V _SD

C =f(V _DS); V _GS=0 V; f =1 MHz

)

parameter: T _j

10000

1000

25 °C

100

1000

Ciss

175°C 98%

Coss

175 °C

25°C 98%

Crss

100

0.0

0.5

1.0

V_SD[V]

1.5

2.0

V _DS[V]

Rev. 1.3

page 6

2003-12-18

1...3 4 567 8 9 10

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