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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 340 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.38 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 33 A |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| Q67045-A5014 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS㈢ Small-Signal-Transistor |
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| Q67045A5051 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
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| Q67045A5053 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
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| Q67050-A4006-A001 | INFINEON |
获取价格 |
Fast switching diode chip in EMCON-Technology |
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| Q67050-A4012-A001 | INFINEON |
获取价格 |
Fast switching diode chip in EMCON-Technology |
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| Q67050-A4013-A001 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
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| Q67050-A4037-A001 | INFINEON |
获取价格 |
Fast switching diode chip in EMCON-Technology |
|
| Q67050-A4039-A001 | INFINEON |
获取价格 |
Fast switching diode chip in EMCON-Technology |
|
| Q67050-A4048-A001 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
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| Q67050-A4050-A001 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
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