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Q67042-S4151

更新时间： 2024-01-06 11:11:23

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OptiMOS 2 Power-Transistor

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Q67042-S4151 数据手册

IPB09N03LA

IPI09N03LA, IPP09N03LA

Values

typ.

Parameter

Symbol Conditions

Unit

min.

max.

Dynamic characteristics

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

C _iss

1240

530

1649 pF

704

_GS=0 V, V _DS=15 V,

C _oss

C_rss

t _d(on)

t _r

f =1 MHz

122

132

_DD=15 V, V _GS=10 V,

I _D=25 A, R _G=2.7 Ω

t _d(off)

t _f

Turn-off delay time

Fall time

4.2

Gate Charge Characteristics⁵⁾

Gate to source charge

Gate charge at threshold

Gate to drain charge

Switching charge

Q _gs

4.4

2.0

3.1

5.5

5.8

2.6

4.7

7.9

Q _g(th)

Q _gd

_DD=15 V, I _D=25 A,

_GS=0 to 5 V

Q _sw

Q _g

Gate charge total

V _plateau

Gate plateau voltage

3.5

V _DS=0.1 V,

_GS=0 to 5 V

Q _g(sync)

Gate charge total, sync. FET

Output charge

Q _oss

V _DD=15 V, V _GS=0 V

Reverse Diode

I _S

Diode continous forward current

Diode pulse current

T _C=25 °C

I _S,pulse

350

V _GS=0 V, I _F=50 A,

T _j=25 °C

V _SD

Diode forward voltage

0.98

1.2

V _R=15 V, I _F=I _S,

di _F/dt =400 A/µs

Q _rr

Reverse recovery charge

⁵⁾See figure 16 for gate charge parameter definition

Rev. 1.3

page 3

2003-12-18

1 234 5 6 7...10

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