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PZT3906

更新时间： 2024-06-27 12:11:56

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SOT-223

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PZT3906 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	VCEsat-Max：	0.25 V
Base Number Matches：	1

PZT3906 数据手册

PZT3906

BIPOLAR TRANSISTOR (PNP)

FEATURES

 Complementary to PZT3904

 Low Voltage and Low Current

 General Purpose Amplifier and Switch Application

 Surface Mount device

SOT-223

MECHANICAL DATA



Case: SOT-223

Case Material: Molded Plastic. UL flammability

Classification Rating: 94V-0

Weight: 0.04 grams (approximate)

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

Value

-40

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

-40

Emitter-Base Voltage

-5

Collector Current

Collector Power Dissipation

-200

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

R_θJA

125

°C/W

°C

150

-55 ~+150

Storage Temperature

TSTG

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Min Typ Max Unit

Conditions

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V(BR)CBO

V(BR)CEO

V(BR)EBO

I_CBO

-40

-5

I_C=-10uA，I_E=0

I_C=-10mA，I_B=0

I_E=-10uA，I_C=0

-50

nA V_CB=-30V, I_E=0

nA V_CE=-30V, V_BE(off)=-3V

V_CE=-1V, I_C=-0.1mA

V_CE=-1V, I_C=-1mA

Collector cut-off current

I_CEX

h_FE1

h_FE2

h_FE3

h_FE4

100

DC current gain

300

V_CE=-1V, I_C=-10mA

V_CE=-1V, I_C=-50mA

-0.25

-0.4

-0.85

-0.95

I_C=-10mA，I_B=-1mA

I_C=-50mA，I_B=-5mA

I_C=-10mA，I_B=-1mA

I_C=-50mA, I_B=-5mA

V_CE= -20V,I_C= -10mA,f=100

V_CB= -5V, I_E=0, f=1

MHz

V_BE= -0.5V, I_C=0, f=1

MHz

V_CC=-3V,V_BE(off)=-0.5V,

Ic=-10mA, I_B1=-I_B2=-1mA

Collector-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

-0.65

250

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

Collector output capacitance

Emitter input capacitance

Delay time

Rise time

Storage time

f_T

C_ob

C_ib

t_d

t_r

t_s

MHz

4.5

225

V_CC=-3V,Ic=-10mA,

I_B1=-I_B2=-1mA

Fall time

t_f

*Pulse test:pulse width≤300us,duty cycle≤2%.

MARKING: ZT3906

1 / 4

E-mail:hkt@heketai.com

12 3 4

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与PZT3906相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PZT3906/S62Z	TI	获取价格	0.2A, 40V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
PZT3906_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-223
PZT3906S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
PZT3906-T	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-223, 4 PIN, BIP General Pur
PZT3906T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| SOT-223
PZT3906T1	ONSEMI	获取价格	General Purpose Transistor PNP Silicon
PZT3906T1/D	ETC	获取价格	PZT3906T1 Data Sheet
PZT3906T1G	ONSEMI	获取价格	General Purpose Transistor PNP Silicon
PZT3906TRL	YAGEO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
PZT3906TRL13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 0.2 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

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