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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-261AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.37 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-261AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 300 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 70 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PZT3906T1G | ONSEMI |
完全替代  |
General Purpose Transistor PNP Silicon |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PZT3906T1/D | ETC |
获取价格 |
PZT3906T1 Data Sheet |
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| PZT3906T1G | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistor PNP Silicon |
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| PZT3906TRL | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| PZT3906TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.2 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| PZT3906TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| PZT4033 | UTC |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR |
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| PZT4033_12 | UTC |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR |
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| PZT4033-AA3-R | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| PZT4033G-AA3-R | UTC |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR |
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| PZT4033L-AA3-R | UTC |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR |
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