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PZT4401 PDF预览

PZT4401

更新时间： 2024-01-14 18:36:51
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 717K
描述
Epitaxial Planar Transistor

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PZT4401 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.69最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
VCEsat-Max：0.75 VBase Number Matches：1

PZT4401 数据手册

 浏览型号PZT4401的Datasheet PDF文件第2页 
PZT4401  
NPN Transistor  
Epitaxial Planar Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
SOT-223  
Description  
The PZT4401 is designed for general  
purpose switching and amplifier applications.  
Features  
*High Power Dissipation: 1500mW at 25oC  
*High DC Current Gain: 100~300 at 150mA  
*Complementary to PZT4403  
Millimeter  
Min. Max.  
13̓TYP.  
2.30 REF.  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
7.30  
3.10  
0.10  
10̓  
A
C
D
E
I
6.70  
2.90  
0.02  
0̓  
B
J
1
2
3
4
5
6.30  
6.70  
6.70  
3.70  
3.70  
1.80  
4 4 0  
1
6.30  
3.30  
3.30  
1.40  
Date Code  
0.60  
0.25  
0.80  
0.35  
H
B
C
E
o
Ta=25  
MAXIMUM RATINGS  
ABSOLUTE  
Symbol  
C
Parameter  
Value  
60  
Units  
VCBO  
Collector-Base Voltage  
V
V
VCEO  
VEBO  
IC  
40  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
5
V
mA  
Collector Current (Continous)  
Total Power Dissipation  
600  
1.5  
W
PD  
O
C
Storage Temperature  
-55~+150  
Junction and  
TJ,  
Tstg  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb=25  
unless otherwise specified  
C
Typ.  
Uni  
V
t
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
*BVCEO  
BVEBO  
ICES  
Min  
60  
Max  
Test Conditions  
IC= 100µA  
IC= 1mA  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector-Base Cutoff Current  
-
-
-
-
-
-
-
40  
V
V
IE= 10µA  
VCE= 35V,VBE=0.4V  
5
-
100  
400  
750  
nA  
-
*VCE(sat)1  
*VCE(sat)2  
*VBE(sat)1  
-
-
-
IC=150mA,IB=15mA  
IC=500mA,IB=50mA  
mV  
mV  
mV  
V
Collector Saturation Voltage  
Base Satruation Voltage  
-
-
950  
1.2  
IC=  
150mA,IB=15mA  
-
*VBE(sat)2 750  
IC=500mA,IB=50mA  
-
-
-
-
-
*hFE1  
*hFE2  
*hFE3  
20  
40  
80  
VCE= 1V, IC=0.1mA  
VCE= 1V, IC=1mA  
DC Current Gain  
-
VCE= 1V, IC=10 mA  
-
-
-
-
*hFE4  
*hFE5  
300  
-
100  
40  
VCE= 1V, IC=150mA  
VCE= 2V, IC=500mA  
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
-
fT  
MH  
pF  
VCE= 10V, IC= 20mA,f=100MHz  
VCB= 5 V, f=1MHz  
250  
-
z
6.5  
Cob  
≦
≦
*Pulse width 380 s, Duty Cycle 2%  
µ
Classification of hFE4  
R
Rank  
Q
100~210  
Range  
190~300  
http://www.SeCoSGmbH.com  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2002 Rev. A  
Page 1 of 2  
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与PZT4401相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PZT4401T/R NXP

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 		TRANSISTOR 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN, BIP Gene
PZT4401TRL NXP

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 		TRANSISTOR 0.6 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
PZT4401TRL YAGEO

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 		Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
PZT4401TRL13 YAGEO

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 		暂无描述
PZT4403 WINNERJOIN

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 		TRANSISTOR (PNP)
PZT4403 SECOS

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 		Epitaxial Planar Transistor
PZT4403 TYSEMI

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 		Product specification
PZT4403 NXP

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 		PNP switching transistor
PZT4403 NEXPERIA

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 		40 V, 600 mA PNP switching transistorProduction
PZT4403 CJ

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 		SOT-223

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