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PZT3906S62Z

更新时间： 2024-09-28 20:05:27

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	51K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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PZT3906S62Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	最大关闭时间（toff）：	300 ns
最大开启时间（吨）：	70 ns	Base Number Matches：	1

PZT3906S62Z 数据手册

2N3906

MMBT3906

TO-92

SOT-23

Mark: 2A

PZT3906

SOT-223

PNP General Purpose Amplifier

This device is designed for general purpose amplifier and switching

applications at collector currents of 10 µA to 100 mA. Sourced

from Process 66.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

5.0

Collector Current - Continuous

Operating and Storage Junction Temperature Range

200

-55 to +150

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

1997 Fairchild Semiconductor Corporation

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与PZT3906S62Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PZT3906-T	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-223, 4 PIN, BIP General Pur
PZT3906T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| SOT-223
PZT3906T1	ONSEMI	获取价格	General Purpose Transistor PNP Silicon
PZT3906T1/D	ETC	获取价格	PZT3906T1 Data Sheet
PZT3906T1G	ONSEMI	获取价格	General Purpose Transistor PNP Silicon
PZT3906TRL	YAGEO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
PZT3906TRL13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 0.2 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
PZT3906TRL13	YAGEO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
PZT4033	UTC	获取价格	PNP SILICON TRANSISTOR
PZT4033_12	UTC	获取价格	PNP SILICON TRANSISTOR