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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-223 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.53 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 4.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 1.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 300 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 65 ns | VCEsat-Max： | 0.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PZT3906T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-223 |
|
| PZT3906T1 | ONSEMI |
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General Purpose Transistor PNP Silicon |
|
| PZT3906T1/D | ETC |
获取价格 |
PZT3906T1 Data Sheet |
|
| PZT3906T1G | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistor PNP Silicon |
|
| PZT3906TRL | YAGEO |
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Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| PZT3906TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.2 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| PZT3906TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| PZT4033 | UTC |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR |
|
| PZT4033_12 | UTC |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR |
|
| PZT4033-AA3-R | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
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