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PZT3906 PDF预览

PZT3906

更新时间： 2024-01-22 09:11:05
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 643K
描述
Epitaxial Planar Transistor

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PZT3906 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.75外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G4元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzVCEsat-Max：0.25 V
Base Number Matches：1

PZT3906 数据手册

 浏览型号PZT3906的Datasheet PDF文件第2页 
PZT3906  
PNP Transistor  
Elektronische Bauelemente  
Epitaxial Planar Transistor  
RoHS Compliant Product  
SOT-223  
Description  
The PZT3906 is designed for general  
purpose switching and amplifier  
applications.  
Millimeter  
Min. Max.  
13̓TYP.  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
7.30  
3.10  
0.10  
10̓  
3 9 0 6  
A
C
D
E
I
6.70  
2.90  
0.02  
0̓  
B
J
Date Code  
2.30 REF.  
1
2
3
4
5
6.30  
6.70  
6.70  
3.70  
3.70  
1.80  
B
C
E
6.30  
3.30  
3.30  
1.40  
0.60  
0.25  
0.80  
0.35  
H
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tamb =25oC, unless otherwise specified  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCBO  
Collector-Base Voltage  
-40  
-40  
-5  
V
V
VCEO  
VEBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
mA  
IC  
Collector Current  
-200  
Total Power Dissipation  
PD  
W
1.5  
O
C
Storage Temperature  
-55~+150  
Junction and  
TJ,  
Tstg  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb=25  
unless otherwise specified  
C
Typ.  
Uni  
V
t
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
*BVCEO  
BVEBO  
ICES  
Min  
Max  
Test Conditions  
IC=-10 µA  
IC=-1mA  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector-Base Cutoff Current  
-40  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
-40  
-5  
-
V
IE=-10µA  
VCB=-30V  
-50  
-50  
nA  
nA  
Emitter-Base Cutoff Current  
-
IEBO  
VEB=-  
3V  
-0.25  
-0.4  
*VCE(sat)1  
*VCE(sat)2  
*VBE(sat)1  
*VBE(sat)2  
*hFE1  
-
-
IC=-10mA,IB=-1mA  
IC=-50mA,IB=-5mA  
IC=-10mA,IB=-1mA  
IC=-50mA,IB=-5mA  
Collector Saturation Voltage  
V
-0.2  
-0.65  
-0.85  
-
-0.84  
-
V
V
Base Saturation Voltage  
DC Current Gain  
-
60  
-0.95  
-
-
VCE=-1V, IC=-0.1mA  
*hFE2  
-
80  
VCE=-1V, IC=-1mA  
VCE=- 1V, IC=-10mA  
VCE=- 1V, IC=-50mA  
*hFE3  
-
-
100  
60  
300  
-
*hFE4  
-
-
-
*hFE5  
-
-
VCE=-1V, IC=-100mA  
VCE=- 20 V, IC=-10mA  
VCB=-5V, f=1MHz  
30  
250  
-
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
fT  
MH  
pF  
z
, f=100MHz  
4.5  
Cob  
≦
≦
*Pulse test: Pulse width 300 s, Duty Cycle 2%  
µ
http://www.SeCoSGmbH.com  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2002 Rev. A  
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12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PZT3906/S62Z TI

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 		0.2A, 40V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
PZT3906_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-223
PZT3906S62Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
PZT3906-T NXP

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 		TRANSISTOR 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-223, 4 PIN, BIP General Pur
PZT3906T/R ETC

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PZT3906T1 ONSEMI

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PZT3906T1/D ETC

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 		PZT3906T1 Data Sheet
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 		Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
PZT3906TRL13 NXP

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 		TRANSISTOR 0.2 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

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