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PXT8050-D3

更新时间： 2024-11-19 01:14:27
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美微科 - MCC /
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4页 566K
描述
NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor

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PXT8050-D3 数据手册

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PXT8050-C  
PXT8050-D  
PXT8050-D3  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
NPN Silicon  
Plastic-Encapsulate  
•
•
•
•
•
Marking:Y1/8050  
Capable of 0.5Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.  
Collector-current 1.5A  
Transistor  
ꢀ
Collector-base Voltage 40V  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
ꢀ
SOT-89  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
40  
25  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
ꢀ
A
(I =100μAdc, IE=0)  
C
K
ꢀ
B
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
(I =0.1mAdc, IB=0)  
C
Emitter-Base Breakdown Voltage  
---  
(I =100μAdc, IC=0)  
E
E
Collector Cutoff Current  
0.1  
0.1  
0.1  
ꢀ
μAdc  
C
(VCB=40Vdc, I =0)  
E
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ICEO  
Collector Cutoff Current  
D
μAdc  
μAdc  
(VCE=20Vdc, I =0)  
B
G
H
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
J
(VEB=5.0Vdc, I =0)  
C
F
ON CHARACTERISTICS  
hFE(1)  
DC Current Gain  
120  
40  
400  
---  
---  
(I =100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
hFE(2)  
DC Current Gain  
---  
(I =800mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
1
2
3
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBEF  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I =800mAdc, I =80mAdc)  
---  
0.5  
1.2  
1.55  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
1.BASE  
C
B
2.COLLECTOR  
3.EMITTER  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I =800mAdc, I =80mAdc)  
---  
ꢀ
C
B
Base- Emitter Positive Favor Voltage  
---  
(I =1.0Adc)  
B
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢄꢅꢆ  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
ꢈꢀꢇꢆ  
ꢇꢇꢆ  
ꢁꢋꢌꢄꢅꢆ  
ꢇꢉꢊꢆ  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
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ꢇꢉꢊꢆ  
ꢍꢎꢑꢎꢆ  
ꢇꢀꢁꢆ  
ꢒꢍꢐꢓꢆ  
fT  
Transistor Frequency  
(I =50mAdc, VCE=10Vdc,)  
C
100  
---  
MHz  
ꢉꢆ  
ꢖ
ꢒꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
1.55  
ꢐꢍꢓꢎꢆ  
ꢇꢇꢇꢇꢇ  
.061  
ꢍꢎꢗꢒꢆ  
ꢇꢇꢇꢇꢇ  
ꢍꢎꢔꢗꢆ  
REF.  
ꢆ
ꢂꢆ  
ꢈꢆ  
ꢄꢆ  
ꢙꢆ  
ꢝꢆ  
ꢃꢆ  
ꢞꢆ  
ꢒꢍ25ꢆ  
C
ob  
Output Capacitance  
(I =0,VCB=10Vdc,f=1MHz)  
E
---  
15  
pF  
ꢍꢕꢐꢎꢆ  
ꢍꢕꢓꢘꢆ  
ꢍꢎꢎꢑꢆ  
ꢍꢕꢎꢐꢆ  
ꢍꢕꢎꢗꢆ  
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ꢕꢍꢐꢑꢆ  
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ꢎꢍꢕꢕꢆ  
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ꢆ
ꢆ
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ꢍꢕꢎꢔꢆ  
ꢍꢕꢔꢐꢆ  
ꢕꢍꢒꢑꢆ  
ꢕꢍꢗꢐꢆ  
ꢕꢍꢒꢎꢆ  
ꢎꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
 ꢆ  
Rank  
Range  
C
D
D3  
300-400  
120-200  
160-300  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: B  
2015/03/13  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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