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PXT8550-D

更新时间： 2024-10-15 01:09:03

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美微科 - MCC		/
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2页	432K
描述
PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor

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PXT8550-D 数据手册

M C C

PXT8550-B

PXT8550-C

PXT8550-D

PXT8550-D3

Micro Commercial Components

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

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Features

•

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

PNP Silicon

•

Marking:Y2/8550

Plastic-Encapsulate

Capable of 0.5Watts(Tamb=25^OC) of Power Dissipation.

Collector-current 1.5A

ꢀ

Transistor

Collector-base Voltage 40V

ꢀ

Operating and storage junction temperature range: -55^OC to +150^OC

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

ꢀ

SOT-89

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

ꢀ

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

-40

-25

-5.0

---

Vdc

ꢀ

(I =-100μAdc, I_E=0)

ꢀ

Collector-Emitter Breakdown Voltage

ꢀ

(I =-0.1mAdc, I_B=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

---

Vdc

(I =-100μAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

-0.1

μAdc

ꢀ

(V_CB=-40Vdc, I =0)

ꢀ

I_CEO

Collector Cutoff Current

---

ꢀ

(V_CE=-20Vdc, I =0)

ꢀ

I_EBO

Emitter Cutoff Current

---

μAdc

ꢀ

(V_EB=-5.0Vdc, I =0)

ON CHARACTERISTICS

h_FE(1)

DC Current Gain

---

400

---

(I =-100mAdc, V_CE=-1.0Vdc)

h_FE(2)

DC Current Gain

---

(I =-800mAdc, V_CE=-1.0Vdc)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BEF

Collector-Emitter Saturation Voltage

-0.5

-1.2

-1.55

Vdc

1.BASE

(I =-800mAdc, I =-80mAdc)

2.COLLECTOR

3.EMITTER

Base-Emitter Saturation Voltage

ꢀ

(I =-800mAdc, I =-80mAdc)

Base- Emitter Positive Favor Voltage

Vdc

(I =-1.0Adc)

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SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

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ꢇꢀꢁꢆ

ꢒꢍꢐꢓꢆ

ꢇꢉꢊꢆ

f_T

Transistor Frequency

100

---

MHz

ꢉꢆ

ꢖ

ꢍꢎꢑꢎꢆ

ꢒꢍꢔꢕꢆ

ꢆ

(I =-50mAdc, V_CE=-10Vdc,)

1.55

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ꢇꢇꢇꢇꢇ

.061

ꢍꢎꢗꢒꢆ

ꢇꢇꢇꢇꢇ

ꢍꢎꢔꢗꢆ

REF.

ꢆ

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ꢄꢆ

ꢙꢆ

ꢝꢆ

ꢃꢆ

ꢞꢆ

ꢒꢍ25ꢆ

Output Capacitance

---

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ꢍꢎꢎꢑꢆ

ꢍꢕꢎꢐꢆ

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ꢆ

(I =0,V_CB=-10Vdc,f=1MHz)

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ꢕꢍꢒꢎꢆ

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ꢆ

CLASSIFICATION OF HFE (1)

ꢆ

Rank

300-400

Range

85-160

120-200

160-300

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: A

2015/03/13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PXT8550D3	CJ	获取价格	Transistor
PXT8550-D3	MCC	获取价格	PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor
PXTA14	NXP	获取价格	NPN Darlington transistor
PXTA14	YAGEO	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
PXTA14	NEXPERIA	获取价格	NPN Darlington transistorProduction
PXTA14,115	NXP	获取价格	PXTA14 - NPN Darlington transistor SOT-89 3-Pin
PXTA14T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 300MA I(C) \| SOT-89
PXTA14-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 300 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
PXTA14-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 300 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
PXTA14TRL	NXP	获取价格	暂无描述

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