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PXT8550-B

更新时间： 2024-11-22 01:09:03
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
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2页 432K
描述
PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor

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PXT8550-B 数据手册

 浏览型号PXT8550-B的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
TM  
PXT8550-B  
PXT8550-C  
PXT8550-D  
PXT8550-D3  
Micro Commercial Components  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
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$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
•
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
PNP Silicon  
•
•
•
•
•
Marking:Y2/8550  
Plastic-Encapsulate  
Capable of 0.5Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.  
Collector-current 1.5A  
ꢀ
Transistor  
Collector-base Voltage 40V  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
ꢀ
SOT-89  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
-40  
-25  
-5.0  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
ꢀ
A
(I =-100μAdc, IE=0)  
C
K
ꢀ
B
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
(I =-0.1mAdc, IB=0)  
C
Emitter-Base Breakdown Voltage  
---  
Vdc  
(I =-100μAdc, IC=0)  
E
E
Collector Cutoff Current  
-0.1  
-0.1  
-0.1  
μAdc  
μAdc  
ꢀ
C
(VCB=-40Vdc, I =0)  
E
ꢀ
ICEO  
Collector Cutoff Current  
---  
ꢀ
D
(VCE=-20Vdc, I =0)  
B
ꢀ
G
H
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
---  
μAdc  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
J
(VEB=-5.0Vdc, I =0)  
C
F
ON CHARACTERISTICS  
hFE(1)  
DC Current Gain  
85  
40  
---  
---  
---  
400  
---  
---  
(I =-100mAdc, VCE=-1.0Vdc)  
C
hFE(2)  
DC Current Gain  
---  
(I =-800mAdc, VCE=-1.0Vdc)  
C
1
2
3
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBEF  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
-0.5  
-1.2  
-1.55  
Vdc  
Vdc  
1.BASE  
(I =-800mAdc, I =-80mAdc)  
C
B
2.COLLECTOR  
3.EMITTER  
Base-Emitter Saturation Voltage  
ꢀ
(I =-800mAdc, I =-80mAdc)  
C
B
Base- Emitter Positive Favor Voltage  
Vdc  
(I =-1.0Adc)  
B
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ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
ꢇꢇꢆ  
ꢁꢋꢌꢄꢅꢆ  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
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ꢇꢀꢁꢆ  
ꢒꢍꢐꢓꢆ  
ꢇꢉꢊꢆ  
fT  
Transistor Frequency  
100  
---  
MHz  
ꢉꢆ  
ꢖ
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ꢒꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
(I =-50mAdc, VCE=-10Vdc,)  
C
1.55  
ꢐꢍꢓꢎꢆ  
ꢇꢇꢇꢇꢇ  
.061  
ꢍꢎꢗꢒꢆ  
ꢇꢇꢇꢇꢇ  
ꢍꢎꢔꢗꢆ  
REF.  
ꢆ
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ꢄꢆ  
ꢙꢆ  
ꢝꢆ  
ꢃꢆ  
ꢞꢆ  
ꢒꢍ25ꢆ  
C
ob  
Output Capacitance  
---  
15  
pF  
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ꢍꢕꢓꢘꢆ  
ꢍꢎꢎꢑꢆ  
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ꢎꢍꢕꢕꢆ  
ꢘꢍꢗꢒꢆ  
ꢚꢚꢚꢚꢚꢆ  
ꢆ
ꢆ
(I =0,VCB=-10Vdc,f=1MHz)  
E
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ꢍꢕꢎꢓꢆ  
ꢍꢕꢘꢎꢆ  
ꢍꢕꢎꢔꢆ  
ꢍꢕꢔꢐꢆ  
ꢕꢍꢒꢑꢆ  
ꢕꢍꢗꢐꢆ  
ꢕꢍꢒꢎꢆ  
ꢎꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
 ꢆ  
Rank  
B
C
D
D3  
300-400  
Range  
85-160  
120-200  
160-300  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2015/03/13  
12

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